Ta wersja używanej przeglądarki nie jest zalecana do tej strony internetowej.
Uaktualnij przeglądarkę do najnowszej wersji, klikając jedno z poniższych łączy.

Technologia Intel® 22 nm

Wprowadzenie pierwszego na świecie tranzystora 3D gotowego do masowej produkcji

3D, 22 nm: Nowa technologia umożliwia osiągnięcie niedostępnej wcześniej kombinacji wysokiej wydajności i niskiego zużycia energii.

Firma Intel wdrożyła całkowicie nową technologię produkcji przyszłych rodzin procesorów: tranzystory 3D wytwarzane w technologii 22 nm. Nowe tranzystory pozwolą firmie Intel konsekwentnie przestrzegać założeń prawa Moore'a i dopilnować, aby tempo postępu technologicznego, którego oczekują klienci, było utrzymane jeszcze przez lata.

Tranzystor, serce mikroprocesora, był wcześniej urządzeniem 2D (płaskim). Tranzystory Tri-Gate Intel® 3D i możliwość ich masowej produkcji oznaczają diametralną zmianę podstawowej struktury układu komputerowego. Dowiedz się więcej o historii tranzystorów.

Oznacza to również, że firma Intel może nadal wytwarzać wiodące na rynku urządzenia zasilane, od najszybszych na świecie superkomputerów do niewielkich rozmiarów urządzeń przenośnych.

Mniejsze jest lepsze

Kluczem do skorzystania z dobrodziejstw prawa Moore'a jest rozmiar i struktura tranzystorów. Im tranzystor mniejszy i bardziej energooszczędny, tym lepiej. Zgodnie z przewidywaniami firma Intel kontynuuje zmniejszanie wytwarzanych technologii, produkując pierwsze na świecie serie: 45 nm z technologią high-k/metal gate z 2007 r.; 32 nm z 2009 r.; i obecnie 22 nm z pierwszym na świecie tranzystorem 3D z procesem masowej produkcji rozpoczętym w 2011 r.

Dzięki mniejszym, trójwymiarowym tranzystorom firma Intel może projektować coraz wydajniejsze procesory o niezwykle niskim poziomie zużycia energii. Nowa technologia pozwala na innowacyjne mikroarchitektury, projekty układów System on Chip (SoC) oraz nowe produkty – od serwerów, przez komputery osobiste i smartfony, po innowacyjne produkty konsumenckie.

Tranzystory w trójwymiarze

Tranzystor Tri-Gate Intel® 3D korzysta z trzech bramek zbudowanych wokół trójwymiarowego kanału krzemowego, co umożliwia osiągnięcie niedostępnej wcześniej kombinacji wysokiej wydajności i niskiego zużycia energii. Firma Intel zaprojektowała nowy tranzystor, aby zapewnić podręcznym urządzeniom, takim jak smartfony czy tablety, niezwykle niskie zużycie energii przy jednoczesnym wzroście wydajności, którego oczekuje się od procesorów wyższej klasy.

Klucz do innowacyjnych procesorów

Nowe tranzystory nawet przy niskim napięciu są tak imponująco wydajne, że pozwoliły zespołowi projektowemu procesora Intel® Atom™ na wprowadzenie innowacyjnych rozwiązań w mikroarchitekturze Intel® Atom™ 22 nm. Nowy projekt maksymalizuje korzyści płynące z technologii tranzystorów Tri Gate Intel® 3D. Co więcej, przyszłe produkty typu SoC firmy Intel, oparte na tranzystorach Tri Gate 22 nm/3D, będą zużywały w stanie bezczynności mniej niż 1 mW, co zaowocuje wyjątkowo energooszczędnymi układami SoC.

Intel pozostaje rynkowym liderem z pożytkiem dla użytkowników

Wprowadzona pod koniec 2011 roku trzecia generacja procesorów Intel® Core™ jako pierwszy produkowany masowo chip wykorzystywała tranzystory 3D.

Wprowadzając na rynek trójwymiarowe tranzystory 22 nm, firma Intel utrzymuje pozycję lidera w produkcji procesorów do serwerów, komputerów osobistych, laptopów i urządzeń podręcznych, a klienci indywidualni i firmy powinni spodziewać się coraz szybszej grafiki i przetwarzania danych, dłuższej żywotności baterii oraz szerokiego wyboru płaskich konstrukcji.

 

Media Asset with Text Component (RWD)

Podobne filmy

Podobne materiały