Zwiększamy rentowność pamięci masowej

Dzięki technologii Intel® 3D NAND firma Intel rozwija standardy pamięci flash. Przyczynia się do tego architektura zaprojektowana z myślą o większej pojemności i optymalnej wydajności, sprawdzony proces produkcyjny umożliwiający szybszą modernizację i skalowanie rozwiązań oraz szybkie rozszerzenie ofert na różnych segmentach rynku.

Większa pojemność pamięci masowej dzięki innowacjom firmy Intel

Firma Intel wprowadza na rynek pierwsze na świecie dyski PCIe* SSD z technologią QLC. Technologia Intel® QLC 3D NAND zapewnia nawet o 33% wyższą pojemność1 w porównaniu z poprzednim rozwiązaniem 3D NAND. Zapewnia również unikalne przyspieszenie PCIe*, aby zagwarantować niezawodne połączenie wydajności, pojemności i korzyści, co sprawia, że jest to rozwiązanie odpowiednie dla centrów przetwarzania danych i rynków konsumenckich.

Technologia Intel® QLC wykorzystuje obecną technologię 3D NAND ze sprawdzoną strukturą 64-warstwową i dodaje nową komórkę, która zapewnia 4 bity na komórkę (QLC), co gwarantuje pamięć flash o największej gęstości. Ponadto technologia ta używa swobodnej komórki bramy, która stanowi niezawodne, ekonomiczne rozwiązanie w zakresie pamięci masowej. W ostatnim czasie technologia Intel® QLC została połączona z technologią PCIe*- (NVMe*), aby zapewnić do 4 razy wyższą wydajność w interfejsach SATA2.

Przygotuj się na przyszłość z technologią Intel QLC, która jest oparta na niezawodnych technologiach Intel ® i najwyższych standardach produkcji firmy Intel.

Wydajność dysku SSD zapewnia wiele korzyści biznesowych

W przypadku centrów przetwarzania danych technologia Intel® QLC 3D NAND znacznie zmniejsza rozmiar urządzeń z dyskiem twardym3. Mniej systemów do konserwacji gwarantuje oszczędności w zakresie energii i chłodzenia4, jednocześnie zmniejszając koszty operacyjne i kapitałowe, powiązane z wymianami dysków5. Obudowa jest mniejsza, a wydajność znacznie większa6. Przyspieszenie PCIe usuwa wąskie gardła 7, uwalniając pełną moc rozwiązania QLC. W połączeniu z opcjonalną technologią Intel® Optane™ technologia Intel® 3D NAND w centrum przetwarzania danych gwarantuje jeszcze wyższą wydajność2, umożliwiając szybszy dostęp do najpotrzebniejszych danych.

Wykonaj większą liczbę zadań, przechowuj większe ilości danych i zmniejsz koszty dzięki technologii Intel® QLC, w którą wyposażono dyski Intel® SSD D5-P4320 i D5-P4326 – obecnie dostępne są ograniczone ilości; większa sprzedaż rozpocznie się zimą 2018 roku.

Niesamowite możliwości są teraz dostępne w przystępnej cenie

Technologia Intel® QLC 3D NAND umożliwia klientom sprostanie obecnym potrzebom i przygotowanie się na rosnące wymagania w przyszłości. Te dyski SSD są w stanie pomieścić większe ilości danych w porównaniu do pamięci masowej TLC, co gwarantuje 2 razy wyższą wydajność w takiej samej obudowie1. Tylko firma Intel połączyła tę rewolucyjną technologię z PCIe*, aby zagwarantować wysoką wydajność w przystępnej cenie.

Kup dysk Shop Intel® QLC 3D NAND SSD

Zaprojektowana z myślą o pojemności i niezawodności

Technologia Intel® 3D NAND to innowacyjna odpowiedź na rosnące zapotrzebowanie branży na pojemność pamięci. W porównaniu do innych dostępnych rozwiązań NAND technologia Intel® 3D NAND ma architekturę bramek pływających o mniejszych komórkach i bardzo wydajne układy pamięci. Umożliwiają one zastosowanie wydajniejszych rozwiązań i zapewniają wysoką niezawodność i ochronę przed utratą ładunku.

Zobacz, jak 3D NAND przyczynia się do rozwoju pamięci masowej

Technologia Intel® 3D NAND przenosi prawo Moore’a w trzeci wymiar, tym samym pokonując ograniczenia tradycyjnej technologii 2D NAND. Pionowe warstwowanie 3D NAND oznacza zwiększenie gęstości powierzchniowej dziś i skalowalność w przyszłości.

Innowacyjny lider

Przełomowe 64 warstw

Firma Intel wykorzystała 30-letnie doświadczenie, aby przenieść technologię NAND z 2 do 3 wymiarów, zamienić komórki wielopoziomowe (MLC) na trójpoziomowe (TLC) i 32 warstwy na rewolucyjne 64. Wszystko to ma na celu zapewnienie największej gęstości powierzchniowej 8 i szybkie zwiększenie pojemności pamięci w rozwiązaniach 3D NAND.

Szeroka oferta

Oparta na sprawdzonym procesie

Dzięki technologii 3D NAND firma Intel wprowadza innowacyjne możliwości do szerokiej oferty produktów. Nasze doświadczenie w projektowaniu tej architektury na potrzeby rozwiązań SSD pozwala szybko poprawić wydajność, niezawodność i pobór mocy z każdą generacją.

Skalowalność produkcji

Przełomowe możliwości

Do budowy technologii 3D NAND firma Intel używa sprawdzonych przez dekady procesów produkcji seryjnej. Silna synergia między generacjami w naszej sieci fabryk pozwala oczekiwać, że firma Intel rozwinie produkcję urządzeń wykorzystujących technologię 3D NAND szybciej niż rynek. Dzięki temu zapewnimy naszym klientom znacznie niższe całkowite koszty utrzymania i szybsze działanie aplikacji.

Informacje o produktach i wydajności

1

TLC (komórka trójpoziomowa) zawiera 3 bity na komórkę, a QLC (komórka czteropoziomowa) 4 bity na komórkę. Obliczone jako (4-3)/3 = 33% więcej bitów na komórkę.

 

2

Klaster vSAN z 4 węzłami – 1 konfiguracja z 1 węzłem: model serwera: Intel Purley S2600WF (R2208WFTZS); MB: H48104-850; procesor: podwójny procesor Intel® Xeon® Gold 6142 2,6 G, 16 rdzeni / 32 wątki, 10,4 GT/s, pamięć cache 22 MB, Turbo, HT (150 W) DDR4-2666; pamięć: 16 GB RDIMM, 2666 MT/s, Dual Rank x16; karty sieciowe: Intel X520-DA2 10GbE SFP+ DAC i wbudowany moduł Intel X722 10GbE LAN. Konfiguracja tylko z TLC: 2 × dysk Intel® SSD Data Center z serii P4610 1,6 TB jako pamięć cache i 4 × dysk Intel® SSD Data Center z serii P4510 4,0 TB jako pamięć masowa; pamięć Intel® Optane™+ Konfiguracja QLC: 2 × dysk Intel® Optane™ SSD DC P4800X 375 GB jako pamięć cache i 2 × dysk Intel® SSD D5-P4320 7,68 TB jako pamięć masowa. 2 Obciążenie robocze: HCIBench: https://labs.vmware.com/flings/hcibench. Liczba maszyn wirtualnych: 16, liczba dysków danych: 8, rozmiar dysku danych: 60, liczba dysków do testowania: 8, wydajność – wartość procentowa: 100, liczba wątków na dysk: 4, rozmiar bloku: 4K, odczyt procentowy: 70, procent losowy: 50, czas testu: 3600. Wyniki: konfiguracja P4610+P4510 = 83,451 IOPS przy opóźnieniu 6,3 ms. Konfiguracja P4800x+P43220 = 346 644 IOPS przy opóźnieniu 1,52 ms. 

 

3

Porównanie 3,5-calowego dysku twardego o pojemności 4 TB, 7200 obr./min, z obsługą 24 dysków twardych na 2U i łącznie 20 U i 960 TB z dyskiem Intel® SSD D-5 P4326, 30,72 TB E1.L (dostępnym w przyszłości), umożliwiającym obsługę do 32 na 1U i łącznie 1U i 983 TB. Daje to 20 jednostek do montażu w szafie serwerowej na 1 jednostkę.

 

4

Oszczędności w zakresie zużycia energii, chłodzenia, konsolidacji. W oparciu o dysk twardy: 7,2K obr./min, 4 TB, wskaźnik AFR 2,00% i 7,7 W mocy czynnej, 24 dyski w obudowie 2U (moc całkowita 1971 W) https://www.seagate.com/files/www-content/datasheets/pdfs/exos-7-e8-data-sheet-DS1957-1-1709US-en_US.pdf SSD: 22 W mocy czynnej, wskaźnik AFR 44%, 32 dyski w obudowie 1U (moc całkowita 704 W); koszt chłodzenia w oparciu o okres wdrożenia 5 lat przy kosztach KWh na poziomie 0,158 USD i liczbie watów do chłodzenia: 1,20. W oparciu o dysk twardy 3,5˝, 2U, 24 dyski i EDSFF 1U, Long 1U, 32 dyski. Pamięć masowa oparta na wykorzystaniu dysków Intel® Transforming Learning Course(s) (Intel® TLC) SSD jako pamięci cache.

 

5

Redukcja kosztów wymiany dysku. Obliczenia: dysk twardy, AFR 2% × 256 dyski × 5 lat = 25,6 wymiany w ciągu 5 lat; dysk SSD: AFR 0,44% × 32 dyski × 5 lat = 0,7 wymiany w ciągu 5 lat.

 

6

Porównuje 4 tys. losowo odczytywanych operacji IOP i głębokość kolejki 32 pomiędzy dyskami SSD Intel D5-P4320 a dyskami twardymi Toshiba N300. 175 000 IOPS: Zmierzone dane z dysku SSD Intel D5-P4320 o pojemności 7,68 TB. 4 tys. losowo odczytywanych operacji IOP; głębokość kolejki 32. 532 IOPS: Na podstawie testów wydajności Tom’s Hardware dla dysku Toshiba N300 8 TB, 7200 obr./min. 4 tys. losowo odczytywanych operacji IOP; głębokość kolejki 32: https://www.tomshardware.com/reviews/wd-red-10tb-8tb-nas-hdd,5277-2.html. Oznacza to, że 4 tys. losowo odczytanych IOPS jest 329 razy lepsze.

 

7

PCIe* IOPS w oparciu o symulowany odczyt losowy 4K, głębokość kolejki 256, szacowana wydajność dysku Intel D5-P4320/D5-P4326 PCIe* opartego na technologii QLC SSD przy różnych pojemnościach: 3,84 TB; 7,68 TB; 15,36 TB; i 30,72 TB. IOPS SATA ustawione na 100 tys. IOPS dla wszystkich punktów wydajności w oparciu o 100 tys. IOPS, które są maksymalnie możliwe w przypadku obecnych konkurencyjnych dysków SSD firmy Micron. Arkusz danych dysków Micron 5200 Series NAND Flash SSD pokazujący maks. 4 tys. operacji IOPS QD32 na poziomie 95 tys. dla jednostek SKU o pojemności 3,84 TB i 7,68 TB. Arkusz danych znajduje się tutaj: https://www.micron.com/parts/solid-state-storage/ssd/mtfddak7t6tdc-1at16ab?pc={1E253C11-6399-4D14-A445-F1DE2EB7ECAC}

 

8

Porównanie gęstości powierzchniowej danych pomiarowych firmy Intel na pamięci Intel® 3D NAND 512 GB z reprezentatywnymi konkurentami na podstawie publikacji IEEE International Solid-State Circuits Conference 2017 przywołującej rozmiary kości Samsung Electronics i Western Digital/Toshiba dla komponentu 3D NAND z 64 stosami.