Nowy kształt pamięci i pamięci masowej w centrum przetwarzania danych

Nowe, innowacyjne technologie firmy Intel zmieniają hierarchię pamięci i pamięci masowych.

Wysokie stawki w centrum przetwarzania danych

Duże ilości danych stanowią obietnicę wartościowych analiz i innowacji dla firm przeprojektowujących architekturę swoich systemów. Dla firm, które nie wprowadzają żadnych zmian w architekturze, odnalezienie się w natłoku danych może jednak stanowić prawdziwe wyzwanie.

Problem dotyczy nie tylko przechowywania nieprzetworzonych danych. Aby firmy mogły zachować konkurencyjność, potrzebują szybkiego i ekonomicznego dostępu do wszystkich danych w celu ich analizy, badań, rozwiązań wykorzystujących sztuczną inteligencję (AI) i innych zastosowań. Do uzyskania takiego poziomu przetwarzania wymagana jest zarówno pamięć, jak i pamięć masowa, przy czym zrównoważenie wysokich kosztów z ograniczoną pojemnością i wydajnością nie jest dla firm prostym zadaniem.

Wyzwanie jest jeszcze trudniejsze, ponieważ różne typy pamięci i pamięci masowej są wymagane do różnych zadań. Co więcej, w celu osiągnięcia optymalnego kompromisu między kosztami a wydajnością może być używanych wiele technologii jednocześnie.

Firma Intel stawia czoła tym wyzwaniom dzięki nowym technologiom pamięci i pamięci masowej, umożliwiającym firmom nadanie nowego kształtu architekturom centrów przetwarzania danych.

Braki w hierarchii pamięci/pamięci masowej

W przeszłości rozwiązania z zakresu pamięci i pamięci masowej były ograniczone przez gęstość, wydajność i koszty. Ograniczenia te były odczuwalne we wszystkich branżach, od handlu detalicznego, przez instytucje rządowe i służbę zdrowia po finanse. Dostawcy usług w chmurze (CSP) mogą na przykład mieć problemy z realizacją umów o poziomie usług w miarę wzrostu obciążenia danych. Firmy świadczące usługi finansowe napotykają problemy w postaci limitów pojemności pamięci masowej i wydajności podczas szybkiego przetwarzania dużych ilości transakcji. Przedsiębiorstwa natomiast nie mogą dotrzymać kroku rosnącym potrzebom związanym z analizą w pamięci, wynikającym z ogromnych ilości danych klientów, magazynowych, mediów społecznościowych i Internetu rzeczy (IoT) — głównie ze względu na wysokie koszty oraz ograniczoną pojemności dynamicznej pamięci RAM (DRAM).

Aby efektywnie i skutecznie zarządzać danymi, firmy muszą określić, które składniki infrastruktury najlepiej odpowiadają ich potrzebom i budżetom. Nie jest to łatwe zadanie, ponieważ każda technologia w hierarchii ma swoje mocne i słabe strony:

  • Pamięć DRAM jest doskonała pod względem wydajności, ale jest kosztowna, ulotna i ma ograniczoną skalowalność.
  • Pamięć flash (NAND) jest nieulotna i tańsza niż pamięć DRAM, ale nie ma wydajności, jaką oferuje DRAM.
  • Obrotowe dyski twarde (HDD) zapewniają dużą pojemność pamięci masowej w najniższej cenie, jednak w przypadku dysków fizycznych pojawiają się problemy z całkowitym kosztem użytkowania (TCO) w zakresie niezawodności, wymagań dotyczących przestrzeni fizycznej, chłodzenia i zasilania.

Podsumowując, tradycyjne opcje pamięci masowej nie zdołały całkowicie wypełnić spektrum rozwiązań z zakresu pamięci i pamięci masowej w centrach danych, ograniczając tym samym wydajność aplikacji. Stale rosnąca ilość danych i konieczność szybszego do nich dostępu jeszcze bardziej pogłębiają ten problem. 

W przypadku firm, które próbują przekształcić swoje centra danych, na pierwszy plan wysuwają się w szczególności dwie luki:

  • Między kosztownymi pamięciami DRAM o niższej pojemności a tańszymi dyskami SSD opartymi na pamięci NAND.
  • Między wolniejszymi dyskami NAND SSD a tańszymi, ale mniej niezawodnymi dyskami HDD.

Do wyboru nie było dostępnych żadnych opcji, które zrównoważyłyby koszty, pojemność i wydajność, tak aby wypełnić te luki — aż do teraz (patrz Rysunek 1).

Rysunek 1. Tradycyjna pamięć i pamięć masowa pozostawiają znaczne luki w spektrum rozwiązań w zakresie pojemności, kosztów i wydajności

Wypełnianie luk dzięki technologiom firmy Intel®

Firma Intel eliminuje luki w spektrum rozwiązań z zakresu pamięci i pamięci masowej w centrach przetwarzania danych dzięki opcjom zapewniającym wysoką wydajność, pojemność i niezawodność. Rozwiązania te zapewniają małe opóźnienia i większą wartość operacyjną w zestawieniu z tradycyjnymi opcjami. W szczególności trzy rodziny produktów zostały zaprojektowane z myślą o uzupełnieniu brakujących rozwiązań równoważących koszty i wydajność w centrach przetwarzania danych oraz zapewnieniu elastyczności dla nowych warstw danych:

  • Trwała pamięć Intel® Optane™ DC reprezentuje nową klasę technologii pamięci i pamięci masowej, zapewniającą dużą pojemność i trwałość w przystępnej cenie. Pozwala ona na przechowywanie większej ilości danych bliżej procesora, tak aby zoptymalizować obciążenia i usługi w celu zmniejszenia opóźnień i zwiększenia wydajności.
  • Dyski SSD Intel® Optane™ DC łączą w sobie cechy pamięci i pamięci masowej z wysoką przepustowością, niskimi opóźnieniami, wysoką jakością usług (QoS) i trwałością.
  • Dyski SSD Intel® QLC 3D NAND, takie jak Intel® SSD D5-P4320, oferują najwyższą na rynku gęstość danych w standardzie PCIe* w cenie, która czyni je idealnym zamiennikiem dysków twardych w zakresie przechowywania rzadziej używanych danych.

Te innowacyjne produkty pozwalają zrewolucjonizować konfigurację centrów przetwarzania danych w celu obsługi nowoczesnych obciążeń i utrzymania konkurencyjności firmy. Każdy produkt został szczegółowo opisany poniżej, wraz z rzeczywistymi przykładami wydajności, pojemności i korzyści cenowych, jakie zapewniają.

Technologia Intel® Optane™ tworzy nowy poziom w hierarchii danych

Firmy muszą na nowo opracowywać rozwiązania w sposób nieszablonowy, aby przystosować się do nowych technologii i rozwijać się w celu spełnienia potrzeb klientów. Technologia Intel® Optane™ to nowa opcja nieulotnej pamięci masowej oparta na technologii Intel® 3D XPoint™, która modernizuje istniejącą architekturę centrów przetwarzania danych dzięki nowej warstwie w hierarchii pamięci i pamięci masowej, wypełniając lukę między wysokowydajną pamięcią ulotną a tańszą pamięcią NAND o niższej wydajności. Technologia Intel® Optane™ jest unikatowa dzięki połączeniu niskich opóźnień, wysokiej jakości usług (QoS), wysokiej trwałości i dużej przepustowości.

Rysunek 2. Technologia Intel® Optane™ łączy zalety wydajności pamięci DRAM z pojemnością dysków SSD NAND

Technologia Intel® Optane™ jest idealna do obsługi „danych roboczych”, czyli danych, które muszą znajdować się blisko procesora, aby zapewnić szybki do nich dostęp. Dane robocze dotyczą uzyskiwania znacznie szybszego dostępu do dużo większej ilości danych wykorzystywanych do analiz w czasie rzeczywistym, transakcji finansowych, rezerwacji lotów i innych zastosowań wymagających przewidywalnie krótkiego czasu odczytu — gdy średni czas reakcji nie jest wystarczająco dobry. W przypadku danych roboczych przewidywalna i stała wydajność jest ważna nawet w przypadku pierwszych żądań.

Zarówno pamięć trwała Intel® Optane™ DC, jak i dyski SSD Intel® Optane™ DC są oparte na technologii Intel® Optane™. Jednak jak opisano poniżej, każde z tych rozwiązań ma inną konstrukcję i można używać ich oddzielnie lub razem w centrach przetwarzania danych w celu zapewnienia firmom nowych, innowacyjnych opcji pamięci i pamięci masowej.

Pamięć trwała Intel® Optane™ DC umożliwia rozszerzenie lub zastąpienie kosztownej pamięci DRAM

Pamięć trwała Intel® Optane™ DC to przełomowy produkt, stanowiący pośrednie rozwiązanie między pamięcią DRAM a dyskami SSD Intel® Optane™ DC. W przypadku firm, których działalność opiera się na przetwarzaniu danych w pamięci, pamięć trwała Intel® Optane™ DC zapewnia dostęp do znacznie większej ilości ważnych danych dla sztucznej inteligencji, analiz, systemów obliczeniowych dużej skali (HPC) i innych zastosowań.

W odróżnieniu od tradycyjnej pamięci DRAM, pamięć trwała Intel® Optane™ DC łączy w sobie wysoką gęstość, przystępną cenę i trwałość. Dzięki zwiększeniu niedrogiej pojemności pamięci systemowej (powyżej 3 TB na gniazdo procesora) firmy mogą lepiej optymalizować obciążenia w centrach przetwarzania danych poprzez przenoszenie większych ilości danych bliżej procesora i minimalizowanie opóźnień dostępu do danych z tradycyjnej, nieulotnej pamięci masowej.

Pamięć trwała Intel® Optane™ DC będzie powszechnie dostępna w 2019 r. wraz z wprowadzeniem platformy skalowalnej Intel® Xeon® nowej generacji.

Rysunek 3. Moduł pamięci trwałej Intel® Optane™ DC

Dysk Intel® Optane™ SSD DC P4800X ujarzmia dane robocze w centrum przetwarzania danych

Dyski SSD Intel® Optane™ DC P4800X wyglądają jak standardowe dyski SSD, ale są oparte na technologii Intel® Optane™, a nie NAND. Wyjątkowa architektura dysków SSD Intel® Optane™ DC P4800X zapewnia przełomową wydajność, szybszą i stałą w porównaniu z dyskami SSD opartymi na technologii NAND. Dyski oparte na technologii NAND charakteryzują się zazwyczaj krótkim czasem odczytu, ale długim czasem zapisu — a nawet dłuższym czasem zapisu w przypadku operacji o wysokiej częstotliwości. Dyski SSD Intel® Optane™ DC są natomiast przeznaczone do wykonywania operacji zapisu na poziomie bajtów lub stron, co zapewnia szybsze i bardziej przewidywalne osiągi, bardziej zrównoważoną wydajność odczytu i zapisu oraz brak konieczności usuwania zbędnych danych.

Dysk SSD Intel® Optane™ DC P4800X zapewnia stały czas odczytu, niezależnie od przepustowości zapisu na dysku. Wykres na rysunku 4 pokazuje, o ile mniejsze jest opóźnienie dysku SSD Intel® Optane™ DC w porównaniu z dyskiem SSD Intel® 3D NAND obecnej generacji, zwłaszcza w przypadku zwiększania liczby operacji losowego zapisu. W odróżnieniu od dysków SSD opartych na technologii NAND opóźnienie w dyskach SSD Intel® Optane™ DC pozostaje na niskim poziomie dla wszystkich żądań zapisu1.

Rysunek 4. Dysk SSD Intel® Optane™ DC P4800X zapewnia stałe niskie opóźnienia w porównaniu z dyskiem SSD Intel® 3D NAND1

Dzięki połączeniu niewielkich, stałych opóźnień i wysokiej trwałości dyski SSD Intel® Optane™ DC pracują znacznie wydajniej niż urządzenia pamięci podręcznej oparte na technologii NAND.

Badanie przeprowadzone przez firmę Evaluator Group wykazało wpływ zastąpienia rozwiązania z zakresu pamięci podręcznej i masowej opartego wyłącznie na dyskach flash NAND na dyski SSD Intel® Optane™ DC w warstwie pamięci podręcznej. Testy wykazały, że system oparty na skalowalnych procesorach Intel® Xeon®, wykorzystujący dyski SSD Intel® Optane™ DC P4800X do obsługi warstwy pamięci podręcznej, zapewniał nawet trzykrotnie lepszy stosunek ceny do wydajności w porównaniu z systemami i nośnikami pamięci masowej poprzedniej generacji, zgodnie z wynikami testu wydajności IOmark-VM*2.

Dyski SSD Intel® Optane™ DC P4800X zapewniają także o wiele większą trwałość niż dyski oparte na technologii NAND. Porównanie dwóch obecnie dostępnych napędów wykazuje na przykład, że dzienna liczba zapisów na dysku (DWPD) dla dysków SSD Intel® Optane™ DC P4800X wynosi 60, natomiast w przypadku dysków SSD Intel® DC P4600 opartych na technologii NAND liczba ta wynosi zaledwie 33. Dlatego też dyski SSD Intel® Optane™ DC są o wiele bardziej trwałe w środowiskach o dużym natężeniu ruchu.

Pamięć trwałą Intel® Optane™ DC można także łączyć z dyskami SSD Intel® Optane™ DC w celu stworzenia całkowicie nowej, elastycznej warstwy zbliżonej do pamięci, jak pokazano na rysunku 5. Zapewnia to szybką obsługę oraz dostęp do wartościowych danych, które zazwyczaj znajdują się w wolniejszej pamięci NAND.

Rysunek 5. Pamięć trwałą Intel® Optane™ DC można także łączyć z dyskami SSD Intel® Optane™ DC w celu stworzenia nowej warstwy, umożliwiającej obsługę najważniejszych danych roboczych oraz ważnych danych dotyczących pojemności w ramach analizy w pamięci (czerwony = najważniejsze dane, żółty = ważne dane, niebieski = rzadko używane dane)

Optymalizacja oprogramowania pod kątem maksymalnego wykorzystania wydajności technologii Intel® Optane™

Wydajność centrów przetwarzania danych można znacząco, a przy tym łatwo, podnieść poprzez dodanie do istniejącej infrastruktury dysków SSD Intel® Optane™ DC, jednak optymalizacje oprogramowania mogą zapewnić jeszcze większy wzrost wydajności aplikacji działających w technologii Intel® Optane™. Oprogramowanie open source świetnie sprawdza się w połączeniu z dyskami SSD Intel® Optane™ DC, ponieważ programiści mogą modyfikować aplikacje, tak aby wykorzystywały zalety dysków SSD Intel® Optane™ DC P4800X.

Architekt ds. wydajności w firmie Oracle zoptymalizował na przykład bazy danych MySQL* dla dysków SSD Intel® Optane™ DC P4800X, co pozwoliło uzyskać pięciokrotnie wyższą wydajność w przypadku dużych obciążeń wejścia/wyjścia (I/O). Architekt firmy Oracle osiągnął również 1 milion odczytów z pojedynczego dysku SSD Intel® Optane™ DC4.

W innym przypadku optymalizacje do technologii Direct I/O* pozwoliły uzyskać 48% większą wydajność w języku Java 10* w porównaniu z rozwiązaniem Buffered I/O*5. Optymalizacje te mają istotne znaczenie dla firm obsługujących sztuczną inteligencję lub bazy danych oparte na języku Java, takie jak Cassandra* lub Apache HBase*.

Architekci oprogramowania mogą wykorzystywać istniejące narzędzia i zestawy dla deweloperów do optymalizacji wydajności technologii Intel® Optane™. Na początek skorzystaj z następujących zasobów firmy Intel:

Rozbudowa pamięci dzięki technologii Intel® Memory Drive

Dyski SSD Intel® Optane™ DC można również skonfigurować jako pamięć rozszerzoną przy użyciu technologii Intel® Memory Drive. Technologia Intel® Memory Drive w prosty sposób integruje dysk SSD z podsystemem pamięci i sprawia, że jest on wyświetlany jako DRAM, bez konieczności wprowadzania zmian w systemie operacyjnym lub aplikacjach. Technologia Intel® Memory Drive może być wykorzystywana do przenoszenia części pamięci DRAM i zmniejszenia ogólnych kosztów pamięci lub do zwiększenia puli pamięci powyżej pojemności DRAM, gdy wymagana jest duża pojemność pamięci systemowej.

Wydajność Apache Spark* wzrasta pięciokrotnie po dodaniu oprogramowania technologii Intel® Memory Drive z dyskiem SSD Intel® Optane™ DC P4800X4.

Mniejsze różnice w pojemności pamięci masowej dzięki dyskom SSD Intel® QLC 3D NAND

Wraz ze wzrostem wydajności technologii NAND i spadkiem jej cen zapotrzebowanie na napędy mechaniczne stale spada. Najnowsze przełomowe dyski SSD Intel® QLC 3D NAND mogą sprawić, że dyski obrotowe będą wykorzystywane jedynie do przechowywania najrzadziej używanych danych.

Dyski SSD Intel® QLC 3D NAND zapewniają niezawodność pamięci flash przy wyższej gęstości i w przystępnej cenie. Korzyści te ułatwiają podjęcie decyzji o wymianie tradycyjnych dysków twardych, które zwykle są wolniejsze, mniej niezawodne, zużywają więcej energii, wymagają lepszego chłodzenia i zajmują więcej miejsca w porównaniu z dyskami flash.

Rysunek 6. Przez zastąpienie dysków twardych dyskami SSD Intel® QLC 3D NAND firmy mogą osiągnąć znaczne oszczędności w zakresie zasilania, chłodzenia i świadczenia usług przy jednoczesnym zmniejszeniu rozmiarów centrum przetwarzania danych6 7

Dyski SSD Intel® QLC 3D NAND można łączyć z technologią Intel® Optane™, aby przyspieszyć dostęp do często używanych danych, a jednocześnie wykorzystać przewagę technologii flash nad dyskami twardymi w kwestii ceny i pojemności w celu zyskania pamięci masowej o dużych rozmiarach. Jest to rozwiązanie pośrednie między dyskami SSD Intel® Optane™ DC a dyskami twardymi pod względem stosunku ceny do pojemności pamięci. Co więcej, ponieważ dyski SSD Intel® QLC 3D NAND zapewniają wysoką niezawodność w przystępnej cenie, wiele firm może zastąpić nimi dyski twarde.

Konsolidacja danych dzięki nowym, innowacyjnym konstrukcjom firmy Intel

Dzięki swoim nowatorskim konstrukcjom firma Intel uzupełnia spektrum rozwiązań z zakresu pamięci o opcję zoptymalizowaną pod względem stosunku ceny do pojemności. Obudowa typu „linijka” dla pamięci 3D NAND firmy Intel dla dysków SSD – zdobywca nagrody Gold International Design Excellence Award w 2018 roku – zwiększa gęstość, funkcje zarządzania i obsługi serwisowej, a przy tym zapewnia wydajną konstrukcję termiczną, która rewolucjonizuje architekturę serwerów.

Dzięki unikatowemu kształtowi i specyfikacjom napędu, na podstawie danych EDSFF, producenci tacy jak Supermicro mogą zamontować 32 napędy typu „linijka” firmy Intel o pojemności 32 TB każdy na jednym serwerze 1U, zapewniając do jednego petabajta danych na serwer8.

Nowy kształt pamięci masowych w centrach przetwarzania danych

Technologie firmy Intel® umożliwiają nowoczesnym firmom szybkie i elastyczne przechowywanie, przetwarzanie i zarządzanie ogromną ilością danych do analiz, obsługi sztucznej inteligencji, HPC i innych obciążeń, zapewniając pełne spektrum rozwiązań z zakresu pamięci i pamięci masowej – od pamięci trwałej Intel® Optane™ DC i dysków SSD Intel® Optane™ DC P4800X po dyski SSD Intel® QLC 3D NAND i dyski o dużej pojemności w obudowach typu „linijka”.

Technologie i produkty firmy Intel w zakresie pamięci masowej zapewniają architektom centrów danych elastyczność w zakresie dopasowywania wydajności, pojemności, niezawodności i przystępności cenowej do konkretnych aplikacji i obciążeń biznesowych. Pora zrewolucjonizować pamięć i pamięć masową dzięki technologii Intel® Optane™ i technologii Intel® QLC 3D NAND.

Więcej informacji

Przeprojektuj centrum przetwarzania danych dzięki technologiom firmy Intel w zakresie pamięci masowej. Aby rozpocząć, odwiedź stronę intel.com/content/www/pl/pl/storage.

Informacje o produktach i wydajności

1

Źródło – testy firmy Intel: czas reakcji odnosi się do średniego opóźnienia odczytu zmierzonego przy głębokości kolejki 1 podczas losowego zapisu 4K za pomocą FIO 3.1. Patrz konfiguracja w przypisie 1 powyżej.

2

Testy przeprowadzone przez firmę Evaluator Group i zlecone przez firmę Intel. Sprawdź szczegółową konfigurację pod adresem: https://www.evaluatorgroup.com/document/lab-insight-latest-intel-technologies-power-new-performance-levels-vmware-vsan-2018-update/. Poprzednia konfiguracja: procesor Intel® Xeon® E5-2699 v4, ESXI ESXi600-201803001, kompilacja 7967764, Ubuntu Linux 18.04, BIOS 2600WT SE5C610.86B.01.01.0024. Pamięć masowa: 1 dysk SSD 3700 800 GB + 6 dysków S3510 1,6 TB. Wydajność: 320 IOmark-VM, cena/wydajność: 684 USD/VM; bieżąca konfiguracja: procesor Intel® Xeon® Gold 6154, ESXI ESXi-6.7.0-8169922, kompilacja 8169922, Ubuntu Linux 18.04, BIOS SE5C620.86B.00.01.0013.030920180427. Pamięć masowa: 2 dyski SDD P4800X 375 GB + 5 dysków SSD P4500 4 TB, wydajność: 1152 IOmark-VM, cena/wydajność: 216 USD/VM. Pamięć masowa: 1 dysk P3700 + 4 dyski HDD Seagate 10K 1 TB, wydajność: 88 IOmark-VM-HC, cena/wydajność: 2153 USD / IOmark-VM-HC; bieżąca konfiguracja: pamięć masowa: 2 dyski SSD P4800X + 4 dyski SSD P4500 4 TB, wydajność: 704 IOmark-VM-HC. Cena/wydajność: 684 USD / IOmark-VM-HC**. Cena/wydajność: 237 USD / IOmark-VM-HC. Wyniki są oparte na testach z poniedziałek, 20 sierpnia 2018 r. i mogą nie uwzględniać wszystkich publicznie dostępnych aktualizacji zabezpieczeń. Więcej informacji zawiera zastrzeżenie dotyczące konfiguracji.

3

Intel. Zobacz dane techniczne produktu w tabeli w sekcji „Informacje o produkcie: SSD Intel® Optane™ DC P4800X”. https://www.intel.pl/content/www/pl/pl/products/docs/memory-storage/solid-state-drives/data-center-ssds/optane-ssd-dc-p4800x-p4801x-brief.html.

4

Wyniki są oparte na testach z czwartek, 20 września 2018 r. i mogą nie uwzględniać wszystkich publicznie dostępnych aktualizacji zabezpieczeń. Więcej informacji zawiera zastrzeżenie dotyczące konfiguracji. Żaden podzespół lub produkt nie jest w stanie zapewnić całkowitego bezpieczeństwa. Źródło: Intel. Konfiguracja systemu: system serwerowy Intel®, 2 procesory Intel® Xeon® Gold 6154, 384 GB pamięci DRAM DDR4, napędy bazy danych: 2 dyski Intel® Optane™ SSD DC P4800X (375 GB) i 1 dysk SSD Intel® DC z serii P4510, 1 dysk SSD Intel® DC z serii S4510, CentOS 7.5* (jądro 4.18 (elrepo)), BIOS: SE5C620.86B.00.01.0014.070920180847, rodzaj produktu systemowego: serwerowa płyta główna Intel® S2600WFT. MySQL Server 8.0.13*, Sysbench 1.0.15* – konfiguracja pod kątem przetwarzania internetowych transakcji w zakresie odczytu/zapisu (70/30) (OLTP) i podziału transakcji według bazy danych o pojemności 100 GB. 30 procent pamięć bazy danych gwarantowane przez MySQL (30 GB).

5

Wyniki są oparte na testach z lipca 2018 r. i mogą nie uwzględniać wszystkich publicznie dostępnych aktualizacji zabezpieczeń. Więcej informacji zawiera zastrzeżenie dotyczące konfiguracji. Żaden produkt nie jest w stanie zapewnić całkowitego bezpieczeństwa. Źródło: Intel: konfiguracja systemu: serwerowa płyta główna Intel® S2600WFT (niemarkowa), 2 złote procesory Intel® Xeon® 6154 3,00 GHz z 36 rdzeniami vCore, 64 GB pamięci synchronous DIMM DDR4 2666 MHz (0,4 ns) (4 x 16 GB), 1 dysk SSD NVM Express* (NVMe*), Peripheral Component Interconnect Express* (PCIe*), Intel® Optane™ DC P4800X 750 GB (wersja oprogramowania sprzętowego: E2010324), 1 dysk SSD NVMe* PCIe* Intel® DC P4500 4 TB (wersja oprogramowania sprzętowego: QDV10150), wersja systemu Intel® BIOS: SE5C620.86B.00.01.0013.030920180427, CentOS 7.4* dystrybucja z jądrem 4.15.7. Patrz informacje dotyczące OpenJDK* w sekcji: OpenJDK. „JDK 10”. Marzec 2018 r. https://openjdk.java.net/projects/jdk/10/.

6

Oszczędności w zakresie zużycia energii, chłodzenia, konsolidacji. W oparciu o dysk twardy: 7,2K obr./min, 4 TB, wskaźnik AFR 2,00% i 7,7 W mocy czynnej, 24 dyski w obudowie 2U (moc całkowita 1971 W) https://www.seagate.com/files/www-content/datasheets/pdfs/exos-7-e8-data-sheet-DS1957-1-1709US-en_US.pdf SSD: 22 W mocy czynnej, wskaźnik AFR 44%, 32 dyski w obudowie 1U (moc całkowita 704 W); koszt chłodzenia w oparciu o okres wdrożenia 5 lat przy kosztach KWh na poziomie 0,158 USD i liczbie watów do chłodzenia: 1,20. W oparciu o dysk twardy 3,5˝, 2U, 24 dyski i EDSFF 1U, Long 1U, 32 dyski. Pamięć masowa oparta na wykorzystaniu dysków Intel® Transforming Learning Course(s) (Intel® TLC) SSD jako pamięci cache.

 

7

Redukcja kosztów wymiany dysku. Obliczenia: dysk twardy, AFR 2% × 256 dyski × 5 lat = 25,6 wymiany w ciągu 5 lat; dysk SSD: AFR 0,44% × 32 dyski × 5 lat = 0,7 wymiany w ciągu 5 lat.

 

8

Supermicro. „Systemy obejmują dostęp do 32 dysków przednich EDSFF typu hot-swap do pojemności 1 PB pamięci masowej NVMe* o wysokiej wydajności i skróconym opóźnieniu w obudowie 1U”. Źródło: „Supermicro otwiera nową erę petaskalowej mocy obliczeniowej dzięki serii systemów All-Flash NVMe 1U, skalowalnych do petabajta pamięci masowej o wysokiej wydajności”. Sierpień 2018 r. https://www.supermicro.com/newsroom/pressreleases/2018/press180807_Petabyte_NVMe_1U.cfm. Odniesienie do SuperStorage SSG-136R-NR32JBF: https://www.supermicro.com/products/system/1U/136/SSG-136R-NR32JBF.cfm.