Przełomowa pamięć idealna do zadań wymagających przetwarzania danych

• Pamięć trwałą Intel® Optane™ (PMem) łączą określone podobieństwa z pamięcią DRAM – obie są wbudowane w moduły DIMM, używają tej samej magistrali / identycznych kanałów oraz mogą działać zupełnie jak pamięć DRAM przechowująca dane ulotne.
• Różnią się natomiast tym, że Intel® Optane™ (PMem) ma wiele nowych i ekscytujących funkcji. PMem charakteryzuje się dużo większą pojemnością niż tradycyjna pamięć DRAM. Moduły PMem mają pojemności 128 GB, 256 GB i 512 GB. To w większości przypadków zdecydowanie więcej niż moduły pamięci DRAM, których rozmiar wynosi od 4 GB do 32 GB, choć dostępne są również większe. Ponadto PMem może działać w trybie trwałym, przechowując dane nawet bez zasilania modułu, co dodatkowo podnosi poziom ich bezpieczeństwa. Moduły PMem nie są tak szybkie jak moduły pamięci DRAM. Jednak biorąc pod uwagę stosunek ceny do pojemności oraz opcję zwiększenia pojemności ponad możliwości oferowane przez pamięć DRAM, całkowity koszt ich posiadania jest znacznie niższy niż pamięci DRAM.

Chociaż zarówno pamięć trwała Intel® Optane™ (PMem), jak i dyski SSD Intel® Optane™ używają tych samych nośników pamięci Intel® Optane™, są to bardzo różne produkty. Pamięć trwała Intel® Optane™ jest wbudowana w moduł DIMM, działa na magistrali DRAM, może być ulotna lub trwała i funkcjonuje jako zamiennik pamięci DRAM. Z kolei dyski SSD Intel® Optane™ używane są wyłącznie jako szybka pamięć masowa wykorzystująca standardowe interfejsy stosowane w dyskach NAND (AIC, M.2, U.2, EDSFF itp.). Działają na magistrali PCIe z wykorzystaniem protokołu NVMe*, są trwalsze ze względu na specyfikę pamięci masowej i funkcjonują jako zamiennik szybkiej pamięci masowej. Ponadto dyski SSD Intel® Optane™ różnią się od standardowych dysków SSD Intel® 3D NAND ze względu na przełomową wydajność na wszystkich (oraz zróżnicowaną wydajność na niskich) głębokościach kolejki (nawet sześciokrotnie wyższa wydajność niż w przypadku NAND), niezmienną responsywność przy dużych obciążeniach (do 63 razy lepszą niż dyski NAND podczas operacji zapisywania), wysoką jakość usługi (do 60 razy wyższą niż dyski NAND) i bardzo wysoką żywotność (do 20 razy większa całkowita liczba zapisywanych terabajtów względem NAND).

NVDIMM (nieulotna podwójna pamięć liniowa) to hybrydowa pamięć, która zachowuje dane podczas przerwy w dostawie energii elektrycznej. Kości NVDIMM zazwyczaj łączą w jednym podsystemie pamięci nieulotną pamięć NAND flash z pamięcią DRAM oraz osobnym zasilaniem zapasowym. Charakteryzują się one wyższą trwałością danych, ale zazwyczaj kosztują więcej, ponieważ ilość pamięci NAND i DRAM musi być taka sama, a do tego konieczny jest podsystem akumulatorowego zasilania zapasowego. Występuje również opóźnienie w zapisywaniu i przywracaniu stanów podczas przerwy w dostawie energii. Ponadto w przypadku braku odpowiedniej konserwacji akumulatora lub jego uszkodzenia zdolność awaryjnego zapisu danych zostaje utracona. W przypadku pamięci trwałej Intel® Optane™ zyskujesz natychmiastową trwałość danych bez potrzeby korzystania z dodatkowych komponentów, martwienia się o wymianę akumulatora czy posiadania dodatkowej pamięci masowej. Pozwala to obniżyć koszty i uniknąć utraty wydajności podczas przywracania danych.