Wydajność, która ma znaczenie

W przeciwieństwie do technologii NAND dysków SSD, technologia Intel® Optane™ dysków SSD oferuje najwyższą wydajność w głębokości kolejki, istotną w rzeczywistych aplikacjach, a nie syntetycznych testach porównawczych.

Chcesz mieć dysk półprzewodnikowy (SSD), który będzie działał jak najszybciej, obsługując Twoje obciążenie. Skoro czytasz ten artykuł, prawdopodobnie sprawdzasz specyfikacje wydajności dysków SSD, wybierając je dla swojego systemu. Po przeczytaniu specyfikacji możesz poznać przepustowość (znaną również jako szerokość pasma) określoną zarówno do odczytu, jak i zapisu. Sprawdzasz również określony maksymalny dostęp na sekundę (powszechnie nazywany operacjami wejścia/wyjścia na sekundę [IOPS]). Może Cię zaskoczyć, że w tego rodzaju specyfikacjach zakłada się wysoce wyidealizowane warunki scenariuszy testowych. Scenariusze te mogą nie – a właściwie prawdopodobnie nie będą – odpowiadać specyfikacjom aplikacji, które chcesz szybko uruchomić.

W tym artykule omówimy rolę, jaką w wydajności dysku SSD odgrywa liczba pozostałych dostępów (powszechnie określana jako głębokość kolejki [QD] obciążenia). Przyjrzymy się również rodzajom głębokości kolejek często występujące w  rzeczywistych aplikacjach.

Mówiąc najprościej, większość aplikacji ma stosunkowo niewielką głębokość kolejki, natomiast dyski SSD NAND potrzebują głębokich kolejek, aby zapewnić pełną wydajność. Dzięki niskiemu opóźnieniu dyski SSD Intel® Optane™ zapewniają wysoką wydajność przy niewielkiej głębokości kolejki. Dlatego dyski SSD Intel® Optane™ zapewniają wysoką wydajność większej liczbie aplikacji.

Powszechność aplikacji z niewielką głębokością kolejki

Głębokość kolejki nie jest czymś, co prowokuje do rozmyślań wielu ludzi. Aby lepiej wyjaśnić, dlaczego niewielka głębokość kolejki ma największe znaczenie i ją zilustrować, warto odwołać się do analogii i pokazać jej związek z opóźnieniem i przepustowością.

Wyobraź sobie, że Twoja szopa płonie. Nie masz węża, tylko wiadro i kran z wodą po drugiej stronie niewielkiego pola. Odkręcasz więc kran, napełniasz wiadro, wyłączasz kran, biegniesz przez pole i wylewasz wodę na płomienie. Potem wracasz biegiem do kranu i powtarzasz tę operację.

W tym przykładzie (rys. 1) głębokość kolejki jest jedna (QD=1), ponieważ występuje tylko jedna osoba i jedno wiadro. Przepustowość jest równa średnie tempo, w jakim pobierasz wodę z kranu i wylewasz na ogień (np. 12 razy na godzinę). Opóźnienie w tym przykładzie to czas od opróżnienia jednego wiadra nad ogniem do przybycia z kolejnym wiadrem z wodą do gaszenia (np. 5 minut).

Jak widzisz, istnieje związek pomiędzy opóźnieniem, a przepustowością wody do gaszenia ognia. Jeśli pole jest duże, transport trwa dłużej, opóźnienie każdego wiadra z wodą wzrośnie, natomiast przepustowość wody spadnie.

Rysunek 1. Przepustowość określa opóźnienie (czas okrążenia) oraz głębokość kolejki (liczba wiader).

Gdybyśmy mogli zmniejszyć rozmiar pola (rys. 2) i przesunąć kran bliżej szopy, moglibyśmy szybciej przebiec pole i wylać więcej wody na pożar. Wówczas obniżamy opóźnienie, i nawet przy QD=1 , nadal zwiększamy wydajność przepustowości i walki z pożarem.

Rysunek 2. Jeśli skrócisz dystans, zmniejszysz opóźnienie i zwiększysz przepustowość.

Zmniejszenie opóźnienia wydaje się niemożliwe. Czy istnieje inny sposób? Przyjrzyjmy się przykładowi QD=2. Potrzebujemy drugiego wiadra oraz przyjaciela, który nam pomoże. Dwóch strażaków mija się na polu, jeden biegnie do pożaru, a drugi do kranu. Opóźnienie się nie zmieniło, ponieważ rozmiar pola jest ten sam, ale dzięki QD=2 przepustowość się podwoiła: woda gasi pożar szybciej (rys. 3).

Rysunek 3. Innym sposobem na zwiększenie przepustowości jest zwiększenie głębokości kolejki.

Dopóki wystarczy nam wiader i przyjaciół, moglibyśmy zwiększać przepustowość wody, zwiększając głębokość kolejki. Jednak zwiększając liczbę strażaków biegających po polu, spowodujemy, że będą oni na siebie wpadać (rys. 4). To właśnie nieefektywność. Każdy kolejny pomocnik nie pomoże nam tak bardzo, jak pomógł nam pierwszy przyjaciel. W pewnym momencie odkryjemy, że z kranu ciągle leci woda, a ktoś ciągle napełnia wiadro. W tym momencie osiągniemy punkt nasycenia (maksymalną przepustowość kranu), a dodanie większej liczby wiader (większa głębokość kolejki) nie pomoże.

Rysunek 4. W końcu osiągniemy punkt, w którym zwiększanie głębokości kolejki nie zwiększy przepustowości, ponieważ nasycenie spowoduje zatory komunikacyjne.

Systemy pamięci masowej działają właśnie tak, jak w opisanym powyżej przykładzie. Aplikacja uruchomiona na procesorze to płonąca szopa – potrzebuje wiader danych, aby przetwarzanie działało. Aplikacja lub system operacyjny działający na procesorze wysyła indywidualne prośby o dane z dysku SSD, a zwrócone dane są wykorzystywane do przetwarzania. Liczba punktów danych, których aplikacja może jednocześnie zażądać (głębokość kolejki lub, inaczej, liczba wiader) zależy od równoległości danych przetwarzania oraz możliwości aplikacji. Opóźnienie każdego dostępu zależy od opóźnienia dysku SSD i ścieżki systemowej do tego dysku SSD. Dlatego przepustowość zależy zarówno od aplikacji, jak i używanego dysku SSD.

Głębokość kolejki aplikacji oraz głębokość kolejki w testach porównawczych

Wydajność dysku SSD jest zwykle mierzona za pomocą analiz porównawczych, takich jak FIO (Linux) lub CrystalDiskMark (Windows). Te systemy porównawcze są zdolne do przetwarzania dużych głębokości kolejek. System FIO jest całkowicie konfigurowalny pod względem głębokości kolejki, wystarczy tylko określić jej pożądaną wartość. Przy podawaniu wydajności dysku SSD testy FIO z głębokością kolejki na poziomie 128 lub 256 są powszechne. CrystalDiskMark obejmuje test z 16 wątkami, każdym z głębokością kolejki na poziomie 32, łącznie 512. Tak duża głębokość kolejki ma sens, gdy chce się w pełni wykorzystać dysk SSD, a także zaprezentować najlepszą możliwą wydajność w zakresie IOPS i przepustowości.

Jednak tak wysoka wydajność – oraz jej uzależnienie od dużej głębokości kolejki – po prostu nie odzwierciedla rzeczywistości doświadczanej codziennie w centrach danych oraz na komputerach osobistych użytkowników. W scenariuszach prawdziwego życia rzadko osiąga się i utrzymuje dużą głębokość kolejki. Wewnętrzne testy rzeczywistych obciążeń w centrach danych firmy Intel ujawniły, że większość aplikacji znajduje się w zakresie od 1 do 9 głębokości kolejki (rys. 5).1. Tak naprawdę wyłącznie wdrożenie transakcyjnych systemów porównawczych (takich jak TPC-H) daje naprawdę duże głębokości kolejki.

Rysunek 5. Wiele obciążeń w przedsiębiorstwach ma miejsce przy niskich zakresach głębokości kolejki.1.

Rysunek 6. Obciążenia wielu klientów i ich powiązane głębokości kolejek; wszystkie zmierzone obciążenia działają głownie przy niskich głębokościach kolejek.2

Sytuacja jest jeszcze poważniejsza w przypadku aplikacji na komputerach osobistych. Dzięki naszym własnym pomiarom dowiadujemy się, że wiele aplikacji na komputery osobiste obsługują głębokość kolejki zaledwie na poziomie jednej, dwóch lub czterech. Zgodnie z rysunkiem 6 obciążenia w świecie rzeczywistym wielu z najpopularniejszych aplikacji występują na poziomie niższym niż QD=3.

Na rysunkach 5 i 6 wyraźnie widać brak połączenia pomiędzy wysokimi pomiarami głębokości kolejek zastosowanych w arkuszach specyfikacji dysków SSD oraz potrzebami aplikacji w świecie rzeczywistym. Systemy testujące dyski SSD zapewniają wiele wiader do transportu danych, tymczasem aplikacje zaledwie kilka. Mając to na uwadze, przyjrzyjmy się wydajności dysku SSD NAND i Intel® Optane™ w porównaniu z głębokością kolejki.

Wydajność dysku SSD NAND

Nie jest zaskoczeniem, że dyski SSD NAND są zbudowane z pamięci NAND. Jeden dysk SSD NAND zawiera wiele układów scalonych NAND. Opóźnienie odczytu danych z układu scalonego NAND zdominowało opóźnienia SSD wszystkich rodzajów, ale rzadziej opóźnienia finalne.3. Ze względu na opóźnienie odczytu NAND w nowoczesnych dyskach SSD NAND zazwyczaj ma średnią bezczynną o 80 mikrosekundy (µs). 4 W przypadku jednego procesora 2 GHz oznacza to 240 tys. instrukcji – to duże pole do pokonania z wiadrem.

Ze względu na to stosunkowo wysokie opóźnienie niska wydajność w zakresie głębokości kolejki jest wyzwaniem dla dysku SSD NAND. Policzmy: 4096 bajtów x (1/80 µs) = 50 MB/sek. – to pokazuje nam, jak wolna byłaby przepustowość. Oczywiście większe transfery (większe wiadro) ją zwiększy. Dlatego właśnie analizy porównawcze dysków SSD wykorzystują duże transfery do pomiaru przepustowości. Należy pamiętać, że jedynie niektóre aplikacje mogą korzystać z dużych transferów.

Policzmy jeszcze raz: (1/80 µs) = 12 K IOPS — to pokazuje, jak niski IOPS byłby dla QD=1. Większa głębokość kolejki zwiększy ten wynik. Dlatego właśnie dla tych wartości podaje się większe pomiary głębokości kolejki. Większe transfery zwiększą również wynik przepustowości, dlatego też w przypadku dysków SSD w przypadku pomiarów IOPS zaobserwujesz wysokie poziomy głębokości kolejki.

Istnieje wiele dodatkowych konsekwencji, jakie poniesie wydajność dysku SSD NAND, które również zwiększają potrzebę większej głębokości kolejki do osiągnięcia maksymalnej wydajności dysku SSD NAND. Warto wspomnieć tylko o jednej: efekcie Yahtzee, nazwanym tak po moim współpracowniku z firmy Intel, Knucie Grimsrudzie. Każdy układ scalony NAND (IC) może utrzymać tylko jeden odczyt w trakcie całego opóźnienia. Dlatego też, aby uzyskać wyższą wydajność, dysk SSD NAND musi mieć wiele układów scalonych, a każdy musi wykonywać inny układ. Jednak dane są przechowywane w konkretnych układach scalonych, dlatego przychodzące dostępy mogą kolidować z poprzednimi w konkretnym układzie scalonym i mogą musieć poczekać, nawet jeśli inne układy scalone są bezczynne. To tak jakbyśmy mieli wiele kranów, ale woda z każdego ciekłaby wolno, a każde wiadro można by napełniać tylko z konkretnego kranu. Wraz ze wzrostem głębokości kolejki wzrasta prawdopodobieństwo kolizji odczytów w pojedynczym układzie scalonym, przez co wydajność rośnie wolniej niż głębokość kolejki. Właśnie dlatego arkusze specyfikacji dysków SSD pokazują tak duże głębokości kolejki, aby pokazać, że dyski SSD Intel® Optane™o wysokim IOPS nie podlegają efektowi Yahtzee dzięki pamięci oraz architekturze SSD o większych możliwościach.

Jak dyski SSD Intel® Optane™ przewyższają wydajność dysków SSD NAND w operacjach rzeczywistego centrum danych

W przeciwieństwie do dysków SSD NAND dyski SSD Intel® Optane™ zaprojektowano tak, aby zapewnić maksymalną wydajność przy rzeczywistej głębokości kolejki, używając rewolucyjnej pamięci i architektury SSD, która zapewnia konsekwentnie niskie opóźnienie. Niski poziom opóźnienia pamięci Intel® Optane™ pozwala dyskowi SSD na osiągnięcie niezwykle niskich opóźnień (dla dysku SSD) wynoszących ok. 8 µs (to znacznie mniejsze pole do przebycia z wiadrem). Dodatkowo, w przeciwieństwie do dysków SSD NAND, opóźnienie dysków SSD Intel® Optane™ nie jest zdominowane przez opóźnienie pamięci i nie podlega efektowi Yahtzee. Dysk SSD Intel® Optane™ dokonuje nawet jednego 4-kilobajtowego odczytu z wielu układów scalonych pamięci Intel®, a układy te są gotowe do następnego odczytu bardzo szybko. Dyski SSD Intel® Optane™ unikają lokalizacji i kolizji na podstawie adresu, które pojawiają się w dyskach SSD NAND. To tak, jakby dyski SSD Intel® Optane™ używały wielu kranów na raz, aby napełnić jedno wiadro, dzięki czemu są gotowe do napełniania kolejnego wiadra bardzo szybko. Oznacza to, że pamięć Intel® Optane™ jest gotowa do kolejnego odczytu w czasie znacznie krótszym niż dysk SSD NAND, dlatego nie potrzebuje równoległości wejścia/wyjścia (I/O), aby osiągnąć wysoki poziom IOPS.

W prostych słowach: dyski SSD Intel® Optane™ zapewniają maksymalną wydajność przy głębokości kolejki, która jest spójna z mniejszą głębokością kolejki, przy której działa większość aplikacji. W przypadku dysków SSD NAND, aby zapewnić maksymalną wydajność, zazwyczaj konieczne są zakresy głębokości kolejki na poziomie 128, tymczasem dyski SSD Intel® Optane™ mogą osiągnąć pełną wydajność przy znacznie mniejszej głębokości kolejki, często występującej w rzeczywistych aplikacjach (zob. rys. 7)5 Wykres podkreśla także różnicę wydajności pomiędzy dyskiem SSD NAND (dysk SSD Intel® P4610) a dyskiem SSD Intel® Optane™ (dysk SSD Intel® Optane™ P4800X). Wyniki pokazują rzeczywistą przewagę w szybkości dysków SSD Intel® Optane™, cztero- lub pięciokrotnie większą od istotnej w świecie rzeczywistym wydajności testowanych dysków Intel® SSD NAND.

Rysunek 7. Dyski SSD Intel® Optane™ zapewniają maksymalną wydajność przy niższej głębokości kolejki, na jakiej działa większość aplikacji; tymczasem dyski SSD NAND zazwyczaj pracują na głębokości kolejki na poziomie 128 lub więcej, aby zapewnić maksymalną wydajność.6

Mimo że to istotny wykres, pokazuje tylko część prawdy. Rys. 8 prezentuje to samo obciążenie, ale jego celem jest pokazanie punktu operacyjnego systemu pod kątem zarówno dostarczonej przepustowości (oś x), jak i wynikającego z niej opóźnienia odczytu (oś y). Głębokość kolejki w liczbach w wierszach dotyczących dysków SSD NAND i Intel® Optane™. Załóżmy, że mamy aplikację zdolną do operacji na poziomie QD=4. Dysk SSD Intel® Optane™ umożliwia tej aplikacji działanie z przepustowością większą niż 1,2 GB/s z opóźnieniem na odczyt I/O na poziomie zaledwie 10 µs. Natomiast dysk SSD NAND zapewnia aplikacji punkt operacyjny na poziomie niższym niż 0,3 GB/s oraz opóźnienie odczytu I/O wynoszącym około 100 µs. To zupełnie różne punkty operacyjne, które, konsekwentnie, będą miały wpływ na zupełnie inną wydajność aplikacji.

Rysunek 8. Przy niższej głębokości kolejek dyski SSD Intel® Optane™ zapewniają wyższą przepustowość i mniejsze opóźnienie niż dyski SSD NAND.7

Należy również zwrócić uwagę na rys. 8, gdzie widać, iż w przypadku dysku SSD NAND konieczna jest głębokość kolejki na poziomie 128 lub nawet 256 do osiągnięcia pełnej wydajności. Nawet jeśli Twoja aplikacja mogłaby osiągnąć taki punkt operacyjny, stałoby się to kosztem większego opóźnienia odczytu. Teraz widać, dlaczego maksymalna wydajność dysku SSD NAND jest określana dla tak dużych głębokości kolejki oraz dlaczego warto zapytać o opóźnienie odczytu w tym punkcie operacyjnym. Dlatego też kilka analiz porównawczych, takich jak CrystalDiskMark, uwzględnia pomiary na poziomie QD=1 w ramach ich zestawów testowych. Dyski SSD Intel® Optane™ osiągają pełną wydajność przy głębokości kolejki na poziomie nieco ponad 8 oraz utrzymują niskie opóźnienie odczytu w tym punkcie operacyjnym. W przypadku głębokości kolejki rzeczywistej aplikacji dysk SSD Intel® Optane™ zapewnia wysoką przepustowość i jednocześnie niskie opóźnienie. Kiedy nadejdzie czas ugaszenia pożaru, wolałbym, aby w moim systemie działał dysk SSD Intel® Optane™.

Dodatkowa korzyść wydajności o niskim poziomie opóźnienia dysku SSD Intel® Optane™: łatwiejszy kod

Jak raz powiedział David Clark w MIT: „Problemy z przepustowością można naprawić za pomocą pieniędzy. Gorzej jest z problemami z opóźnieniem, ponieważ prędkość światła jest stała; a Boga nie przekupisz”.8 Clark mówił o sieci, ale jego słowa są tak samo prawdziwe w przypadku pamięci masowej; niski poziom opóźnień jest ważny, a jego skutki są daleko idące. W trakcie pracy z programistami systemów operacyjnych i aplikacji nad integracją niskiego poziomu opóźnień do naszych dysków SSD Intel® Optane™ zauważyliśmy pewien powtarzający się motyw. Aby pokonać wysoki poziom opóźnień pamięci masowej, programiści ponosili koszty w postaci czasu programowania, dodatkowego kodu i dodatkowych cyklów przetwarzania. Wraz z upływem lat programiści systemów operacyjnych i najważniejszych aplikacji w centrum danych zwiększali swoje wysiłki do podniesienia przepustowości aplikacji pomimo wysokiego poziomu opóźnień dysków SSD NAND (a nawet napędów twardych dysków [dysków HDD]). Opracowano ważny kod oraz złożoną heurystykę w celu skrócenia długich czasów oczekiwania w trakcie przesyłu danych z i do pamięci masowej. W przypadku dysków SSD Intel® Optane™ ten dodatkowy kod i dodatkowy czas poświęcany przez programistów nie są już konieczne. Niski poziom opóźnień zapewniany przez dyski SSD Intel® Optane™ rozwiązuje główny problem: szybki dostęp do danych.

Aby zilustrować tę koncepcję, przyjrzyjmy się ważnej z komercyjnego punktu widzenia analizie porówawczej, TPC-C. Jeff Smits, inny kolega z firmy Intel, przeprowadził szeroko zakrojone eksperymenty, porównując wydajność dysku SSD NAND do wydajności dysku SSD Intel® Optane™. W analizie TPC-C chodzi przede wszystkim o przepustowość, a więc liczbę transakcji na sekundę (TPS). Wdrożenia bazy danych TPC-C są silnie zoptymalizowane pod kątem poziomu kodu Jeff odkrył, że proste włożenie dysków SSD Intel® Optane™ do systemu nie przyniosło pełni korzyści. Musiał zmniejszyć liczbę pozostałych transakcji wygenerowanych przez mocno zoptymalizowany system. Po ich usunięciu wysoka wydajność aplikacji powróciła. System założył istnienie pamięci masowej o wysokim opóźnieniu, dlatego dołączył zlożony kod umożliwiający generowanie wielu jednoczesnych transakcji. Co ciekawe, zmniejszenie liczby pozostałych transakcji umożliwiło pamięci tymczasowej procesora sprawniejsze działanie, ponieważ zmniejszono rozmiar zestawu aplikacji. Podobną możliwość uproszczenia dla wydajności zaobserwowaliśmy przy stronicowaniu pamięci wirtualnej systemu operacyjnego.

Dlatego też dodatkową korzyścią korzystania z dysków SSD Intel® Optane™ jest zmniejszenie stopnia złożoności kodu i zestawów roboczych. Dzięki zmniejszonemu stopniowi złożoności obserwujemy jeszcze lepszą wydajność systemu. Jeśli jesteś programistą, pomyśl tylko o aplikacji i o tym, jak możesz ją uprościć w celu uzyskania wyższej wydajności i produktywności dzięki dyskom SSD Intel® Optane™.

Najważniejsza jest „rzeczywista” wydajność

Hasło „rzeczywisty” pojawia się w wielu miejscach w tym artykule. Tak właśnie, jak powinno być. W końcu opublikowane statystyki dotyczące wydajności, bez względu na to, jak imponujące by nie były, nie będą miały żadnego znaczenia, jeśli tych samych wyników nie da się osiągnąć w prawdziwym życiu. Chociaż statystyki dotyczące wydajności dysku SSD NAND mogą wydać się imponujące przy przeglądaniu broszurek handlowych, wydajność dysku SSD Intel® Optane™ będzie robiła wrażenie w codziennych operacjach na rzeczywistych danych w centrach danych i aplikacjach na komputerach stacjonarnych.[f.Oprogramowanie i obciążenia wykorzystane w testach wydajności mogły zostać zoptymalizowane w celach uzyskania wydajności wyłącznie na mikroprocesorach Intel®.] 9 10 11. 12. 13

O autorze: Frank Hady

Frank Hady to pracownik firmy Intel i główny architekt systemów Optane™ w Solutions Group (NSG), zajmujący się pamięcią trwałą Intel®. Prowadzi badania i definiuje produkty technologii Intel® Optane™ oraz ich integrację z systemem obliczeniowym.

Frank:

  • pracował jako główny architekt platformy I/O Intel®;
  • dostarczył podstawę badań do technologii Intel® QuickAssist (Intel® QAT);
  • jest autorem lub współautorem 30 opublikowanych artykułów o sieci, pamięci masowej i innowacji I/O;
  • posiada ponad 30 amerykańskich patentów;
  • skończył studia dotyczące inżynierii elektrycznej na Uniwersytecie Virginii oraz tytuł Ph.D. na Uniwersytecie Maryland.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o tym, w jaki sposób technologia Intel® Optane™ zmienia hierarchię pamięci operacyjnej i pamięci masowej w centrum danych, czytając inne artykuły z cyklu technicznego o pamięci operacyjnej i pamięci masowej.

Aby dowiedzieć się więcej o pamięci trwałej Intel® Optane™, odwiedź:

https://www.intel.pl/content/www/pl/pl/products/memory-storage/optane-dc-persistent-memory.html

Aby dowiedzieć się więcej o dyskach SSD Intel® Optane™, odwiedź:

https://www.intel.pl/content/www/pl/pl/products/memory-storage/solid-state-drives/data-center-ssds/optane-dc-ssd-series.html

Dodatkowa lektura: technologia Intel® Optane™: pamięć operacyjna lub pamięć masowa? Zarówno jedno, jak i drugie.

https://www.intel.pl/content/www/pl/pl/products/docs/memory-storage/optane-technology/what-is-optane-technology-brief.html

Informacje o produktach i wydajności

1Intel. “Performance Benchmarking for PCIe* and NVMe* Enterprise Solid-State Drives.” Luty 2015 r. intel.com/content/dam/www/public/us/en/documents/white-papers/performance-pcie-nvme-enterprise-ssds-white-paper.pdf
2Źródło: Testy firmy Intel od lipca 2018 r. Konfiguracja systemu: procesor Intel® Core™ i7 8086K; BIOS w wersji 9008 (x64) Data budowy: 16/5/2018, wersja EC: MBEC-Z370-0203,  oprogramowanie Intel® Management Engine (Intel® ME), wersja Ver11.8.50.3399; płyta główna: ASUS Z370-A; system operacyjny: Windows*  10 RS4 1803; sterownik: Microsoft* Inbox Driver; DRAM: 8 GB x 2 Corsair Vengeance LPX DDR4 (model: CMK16GX4M2A2666C16R); twardy dysk: WD Blue 2.5” 1 TB (HDD) (model:  WD10JPVX); pamięć Intel® Optane™ 32 GB, dysk SSD 800P Intel® Optane™ 118 GB; 900P; SSD SATA: dysk SSD Intel® 512 GB  545s; dysk SSD NVM Express (NVMe): dysk SSD Intel® 512 GB 760p PCIe, M.2, dysk SSD NVMe; wszystkie testy wykonane wewnętrznie prze firmę Intel.
3Intel. “Achieve Consistent Low Latency for Your Storage-Intensive Workloads.” Grudzień 2019 r. intel.pl/content/www/pl/pl/architecture-and-technology/optane-technology/low-latency-for-storage-intensive-workloads-tech-brief.html
4Na podstawie testów porównawczych na stronie Intel z dnia 24 lipca 2018r. Średnie opóźnienie odczytu mierzone przy głębokości kolejki 1 podczas obciążenia losowym zapisem bloków 4-kilobajtowych. Zmierzono za pomocą systemu FIO 3.1, porównując platformę Intel Reference z dyskiem SSD Intel® Optane™ 375 GB P4800X oraz dysk SSD Intel® 1,6 TB P4600 z dyskami SSD dostępnymi na rynku w dniu 1 lipca 2018 r.
5Zgodnie z testami firmy Intel: wydajność odczytu/zapisu na poziomie 4 K 70/30 przy niskiej głębokości kolejki. Konfiguracja testu oraz systemu: procesor  Intel® Xeon® Gold 6140  FC-LGA14B (2,3 GHz, 24,75 MB, 140 W, 18 rdzeni), CD8067303405200, gniazda procesora: 2, pojemność pamięci RAM: 32 GB, model pamięci RAM: DDR4, wypełnienie pamięci RAM: nie dotyczy, zapełnienie gniazd DIMM: 2 gniazda, podłączenie PCIe: procesor CPU (nie przez szynę PCH), chipset: chipset Intel® z serii C620, BIOS: SE5C620.86B.00.01.0013.030920180427, model/dostawca przełącznika/retimera: kabel  OCuLink 800 mm, prosty SFF-8611 do prawego kąta SFF-8611 Intel AXXCBL800CVCR, SO: CentOS 7.5, kernel: 4.14.50 (LTS), wersja FIO: 3.5; sterownik NVME: inbox, C-states: wyłączony, technologia Intel® Hyper-Threading (technologia Intel® HT): wyłączona, zarządca procesora (poprzez system operacyjny): tryb Performance. Włączona technologia Intel SpeedStep® (EIST), technologia Intel® Turbo Boost: wyłączona i P-states: wyłączony.
6Na podstawie testów firmy Intel w dniu 15 listopada 2018 r. Mierzono za pomocą systemu FIO 3.1 Wspólna konfiguracja: system serwerowy Intel 2U, CentOS 7.5, kernel 4.17.6-1.el7.x86_64, 2 x procesory Gold Intel® Xeon® 6154 na poziomie 3,0 GHz (18 rdzeni), 256 GB pamięci RAM DDR4 na poziomie 2666 MHz. Konfiguracja: dysk SSD Intel® Optane™ 375 GB P4800X oraz dysk SSD Intel® P4610 3,2 TB. Mikrokod Intel®: 0x2000043; system BIOS: 00.01.0013; oprogramowanie Intel® Management Engine (Intel® ME): 04.00.04.294; sterownik zarządzania płyty bazowej (BMC): 1.43.91f76955; FRUSDR: 1.43.
7Na podstawie testów firmy Intel w dniu 15 listopada 2018 r. Mierzono za pomocą systemu FIO 3.1. Wspólna konfiguracja: system serwerowy Intel 2U, CentOS 7.5, kernel 4.17.6-1.el7.x86_64, 2 x procesory Gold Intel® Xeon® 6154 na poziomie 3,0 GHz (18 rdzeni), 256 GB pamięci RAM DDR4 na poziomie 2666 MHz. Konfiguracja: dysk SSD Intel® Optane™ 375 GB P4800X oraz dysk SSD Intel® P4610 3,2 TB. Mikrokod Intel®: 0x2000043; system BIOS: 00.01.0013; oprogramowanie Intel® Management Engine (Intel® ME): 04.00.04.294; sterownik zarządzania płyty bazowej (BMC): 1.43.91f76955; FRUSDR: 1.43.
8Słowa Davida Clarka, Massachusetts Institute of Technology (MIT).
9Testy wydajności, takie jak SYSmark i MobileMark, mierzą wydajność określonych systemów komputerowych, komponentów, oprogramowania, operacji i funkcji. Dowolna zmiana wyżej wymienionych czynników może spowodować uzyskanie innych wyników. Aby wszechstronnie ocenić planowany zakup, w tym wydajność danego produktu w porównaniu z konkurencyjnymi, należy zapoznać się z informacjami z innych źródeł oraz innymi testami wydajności. Więcej informacji można znaleźć na stronie intel.com/benchmarks.
10Wyniki są oparte na testach z dni wskazanych w konfiguracji i mogą nie uwzględniać wszystkich publicznie dostępnych aktualizacji zabezpieczeń. Szczegóły dotyczące konfiguracji można znaleźć w materiałach dodatkowych. Żaden produkt ani komponent nie jest całkowicie bezpieczny
11 Rzeczywiste koszty i wyniki mogą się różnić.
12Technologie Intel® mogą wymagać obsługującego je sprzętu, oprogramowania lub aktywacji usług
13© Intel Corporation. Intel, logo Intel i inne znaki Intel są znakami towarowymi firmy Intel Corporation lub jej spółek zależnych. Inne nazwy oraz marki mogą być przedmiotem praw ich właścicieli.