Opracowane z myślą o chmurze. Optymalizacja wydajności.

Wnioski

  • 144-warstwowa technologia Intel® TLC 3D NAND nowej generacji

  • Przyspiesz szeroki zakres obciążeń centrum danych w chmurze dzięki niższym opóźnieniom

  • Zwiększ bezpieczeństwo i możliwości zarządzania firmą

  • Czas reakcji w mieszanych operacjach wejścia/wyjścia

BUILT IN - ARTICLE INTRO SECOND COMPONENT

Spełnia wymagania dzisiejszego świata z zakresu wydajności centrów danych, możliwości zarządzania i operacji wejścia/wyjścia w różnych obciążeniach roboczych.

Dysk Intel® SSD D7 z serii P5510 oparty jest na 144-warstwowej technologii Intel® 3D NAND TLC. Oferuje on zoptymalizowaną wydajność i pojemność macierzy All Flash. Opracowany został z myślą o zwiększeniu sprawności IT i bezpieczeństwa danych. Dysk Intel® SSD D7 z serii P5510 obejmuje kontroler Intel® PCIe 4.0 i oprogramowanie sprzętowe, które zapewnia niskie opóźnienia, zwiększone możliwości zarządzania, skalowalność i nowe, kluczowe funkcje NVMe dla środowisk chmurowych i korporacyjnych.

Te dyski SSD dostępne są w konstrukcji U.2 15 mm o pojemnościach 3,84 TB i 7,68 TB z wydajnością zapisu nawet do 1 dysku dziennie (DWPD).

Zwiększona wydajność z niższymi opóźnieniami

Dysk Intel® SSD D7 z serii P5510 zapewnia zgodną z oczekiwaniami szybką i wysoką wydajność, co może w znacznym stopniu przyspieszyć macierze All Flash. Zoptymalizowany pod kątem wydajności dysk D7 z serii P5510 zapewnia nawet 2 razy wyższą wydajność odczytu sekwencyjnego1, o 50% niższe opóźnienia2 oraz 50-procentowy wzrost wydajności w operacjach we/wy na sekundę (IOPS) o mieszanych obciążeniach (70% odczytu i 30% zapisu)3 w porównaniu do dysków Intel® SSD poprzedniej generacji.

Nowa architektura TRIM dodatkowo zwiększa wydajność w rzeczywistych obciążeniach, w których wykorzystywane są polecenia zarządzania zbiorami danych. Zoptymalizowana architektura TRIM działa teraz w tle, bez oddziaływania na wykonywane zadania. Poprawia to wydajność i QoS podczas równoległych procesów TRIM. Proces TRIM został udoskonalony dzięki zmniejszonemu wzmacnianiu zapisu, co przekłada się na większą trwałość.

Udoskonalenia oprogramowania sprzętowego zapewniają wydajność dysku, sprawność IT, bezpieczeństwo danych i możliwości zarządzania.

Dysk Intel® SSD D7 z serii P5510 obejmuje liczne udoskonalenia oprogramowania sprzętowego stworzone specjalnie z myślą o zwiększeniu sprawności IT i bezpieczeństwie danych w coraz bardziej bazującym na nich świecie.

Liczne dynamiczne przestrzenie nazw usprawniają przydzielanie zasobów w czasie wykonywania i zarządzanie pamięcią masową. Dysk nadmiernego przydzielania zasobów z pojedynczą, mniejszą przestrzenią nazw poprawia trwałość i wydajność losowego zapisu4.

  • Rozbudowana obsługa formatu LBA zapewnia elastyczność oprogramowania hostującego na potrzeby przekazywania metadanych i informacji dotyczących ochrony wraz z danymi ładunku użytecznego. Dysk Intel® SSD D7 z serii P5510 obsługuje technologię VSS o następujących rozmiarach sektorów: 512/520/4096/4104/4160 B.
  • Lista scatter-gather (SGL) zwiększa wydajność poprzez eliminację konieczności wyrównania danych na hoście.
  • Udoskonalone monitorowanie SMART, które dostarcza informacji o stanie sprawności napędu za pomocą mechanizmu w paśmie oraz dostępu poza pasmem, bez zakłócania przepływu danych na wejściu/wyjściu.
  • Samodiagnostyka urządzenia poprawia doświadczenia klientów poprzez zapewnienie oczekiwanego działania urządzeń. System hosta może zażądać od urządzenia pamięci masowej (SSD) przeprowadzenia testów w celu zapewnienia jego prawidłowego funkcjonowania, obejmujących m.in. kontrolę SMART, kopię zapasową pamięci ulotnej, integralność NVM i żywotność dysku.
  • Telemetria zapewnia dostępność szerokiego zakresu przechowywanych danych i oferuje funkcję inteligentnego śledzenia błędów oraz logowania. Zwiększa to wiarygodność wyszukiwania i rozwiązywania problemów oraz przyspiesza cykle kwalifikacji. Wszystkie te funkcje skutkują większą sprawnością IT.
  • Obsługiwane są dodatkowe funkcje zabezpieczeń, takie jak standard TCG Opal 2.0, konfigurowalne blokowanie przestrzeni nazw, oczyszczanie i format NVM.
  • Program ochrony Power-Loss Imminent (PLI) z wbudowaną samodiagnostyką zabezpiecza przed utratą danych w przypadku nagłej przerwy w zasilaniu systemu. W połączeniu z najlepszym w branży kompleksowym systemem ochrony ścieżki danych5 funkcje PLI oferują również łatwe wdrażanie w centrach danych o odpornej strukturze, gdzie nie ma miejsca na uszkodzenia danych w wyniku zakłóceń na poziomie systemu.

Lider w branży technologii NAND

144-warstwowa technologia Intel® 3D NAND zapewnia najlepszą w branży gęstość powierzchniową6 i przechowywanie danych7, co umożliwia klientom korporacyjnym bezpiecznie skalowanie macierzy dyskowych w celu zaspokojenia rosnących potrzeb. Szybkie zastosowanie programowych i hiperkonwergentnych infrastruktur przekłada się na większe wymogi w zakresie maksymalizacji efektywności, odświeżenia istniejącego sprzętu oraz zwiększenia sprawności serwera — a wszystko to przy jednoczesnym zachowaniu niezawodności działania.

Najlepsi producenci serwerów korporacyjnych odpowiedzieli na nie ofertą dysków SSD z technologią PCIe/NVMe, charakteryzujących się skalowalną wydajnością, niskimi opóźnieniami i ciągłymi innowacjami. Zaspokojenie zapotrzebowania na zadania wejścia/wyjścia charakteryzujące się większą intensywnością, również w obszarze AI i analityki, stało się kluczowym elementem strategii każdej firmy.

Zestawienie cech

Model Dysk Intel® SSD D7 z serii P5510
Pojemność i konstrukcja U.2 15 mm: 3,84 TB, 7,68 TB
Interfejs PCIe 4.0 x4, NVMe 1.3c
Media Technologia Intel® 3D NAND, 144 warstwy, TLC
Wydajność Prędkość sekwencyjnego odczytu/zapisu 128 tys. danych do 7000/4194 MB/s
Czas losowego odczytu/zapisu 4 KB danych do 930 tys./190 tys. operacji wejścia/wyjścia na sekundę (IOPS)
Trwałość 1 DWPD (do 14 PBW)
Niezawodność

UBER: 1 sektor na 1017 odczytanych bitów

MTBF: 2 miliony godzin

Moc

Maks. średnia aktywnego zapisu: 18 W

Bezczynność: 5 W

Gwarancja 5-letnia ograniczona gwarancja

Infrastruktura pamięci masowej dla SI

Przyspieszanie bardzo zmiennego obciążenia pamięci masowej dla SI, jednocześnie poprawiając wydajności pamięci masowej ma kluczowe znaczenie dla zrozumienia pełnej wartości sztucznej inteligencji. Dowiedz się, jak rozpocząć budowę przyspieszonych, wydajnych i skalowalnych procesów pamięci masowej danych SI.

Zmodernizuj swoją pamięć masową, aby była przygotowana na SI

Zastrzeżenia i uwagi prawne8

Konfiguracja dla przypisów 1–3: konfiguracja systemu i szacowana: płyta główna: Intel® Server Board S2600WFT, wersja: R2208WFTZS, system BIOS: SE5C620.86B.00.01.0014.070920180847, architektura platformy: x86_64, procesor: Intel® Xeon® Gold 6140 przy 2,30 GHz, gniazda procesora: 2, pojemność pamięci RAM: 32 GB, model pamięci RAM: DDR4, wersja systemu operacyjnego: centos-release-7-5, identyfikator kompilacji: 1804, jądro: 4.14.74, sterownik NVMe: wewnętrzny, wersja Fio: 3.5, użyto przełącznika PCIe 4.0 od Microsemi. P5510 i P5316 przetestowano odpowiednio na oprogramowaniu sprzętowym JCV10100 i ACV10005.

Informacje o produktach i wydajności

1

Nawet dwa razy lepsza wydajność odczytu sekwencyjnego — twierdzenie jest oparte na odczycie sekwencyjnym dysku półprzewodnikowego Intel® SSD D7-P5510 128 KB (7,0 GB/s) w porównaniu do odczytu sekwencyjnego dysku półprzewodnikowego Intel® SSD DC P4510 128 KB (3,20 GB/s). Data przeprowadzenia testu: październik 2020.

2

Nawet o 50% mniejsze opóźnienia — twierdzenie jest oparte na losowym obciążeniu 4 KB 75/25 przy 6 (9 s). Dysk półprzewodnikowy Intel® SSD D7-5510 (1100us) ma o 50% mniejsze opóźnienia niż dysk półprzewodnikowy Intel® SSD DC P4510 (2539us). Data przeprowadzenia testu: październik 2020.

3

Nawet o 50% lepsze procesory IOP z obciążeniem mieszanym — twierdzenie jest oparte na porównaniu dysku Intel® SSD D7-P5510, 7,684 TB, 4 KB z mieszanym obciążeniem 70/30 (400 KB) z dyskiem Intel® SSD DC P4510, 8 TB (226 KB). Data przeprowadzenia testu: październik 2020.

4

 Dyski z nadmiarowymi blokami pamięci i z mniejszą, pojedynczą przestrzenią nazw można znaleźć w tym artykule: https://www.intel.com/content/dam/www/public/pl/pl/documents/white-papers/over-provisioning-nand-based-ssds-better-endurance-whitepaper.pdf.

5

Źródło — Los Alamos. Dyski testowane u źródła: Los Alamos Neutron Science Center, https://lansce.lanl.gov/facilities/wnr/index.php. Współczynnik przyspieszenia 10^6 neutronów. Test został wykonany na jednoportowych dyskach półprzewodnikowych: Intel® SSD DC S3520, Intel® SSD DC P3520, Intel® SSD DC P3510, Intel® SSD DC P4500, Intel® SSD DC S4500, Intel® SSD DC P4800X, Intel® SSD D7-P55XX, Intel® SSD D7-P56XX, Samsung PM953, Samsung PM1725, Samsung PM961, Samsung PM863, Samsung PM963, Samsung 860DCT, Samsung PM883, Samsung PM983, Micron 7100, Micron 510DC, Micron 9100, Micron 5100, Micron 5200, HGST SN100, Seagate 1200.2, SanDisk CS ECO, Toshiba XGS, Toshiba Z6000. Zero cichych uszkodzeń danych mierzonych na jednoportowych dyskach Intel® reprezentuje skumulowany czas pomiaru — ponad 5 milionów godzin. Promieniowanie neutronowe jest wykorzystywane w celu określania wskaźników występowania cichych uszkodzeń danych oraz stanowi miarę ogólnej efektywności kompleksowej ochrony danych. Do przyczyn uszkodzenia danych w kontrolerze SSD należą promieniowanie jonizujące oraz niestabilność pamięci SRAM. Pomiary cichych uszkodzeń danych zostały wykonane w trakcie pracy urządzenia i po ponownym uruchomieniu, gdy dysk się zawiesił. Porównane zostały oczekiwane dane i rzeczywiste dane znajdujące się na dysku. Roczny wskaźnik uszkodzenia danych prognozowano na podstawie wskaźnika podczas testu przyspieszenia podzielonego przez przyspieszenie wiązki promieniowania (zobacz standard JEDEC JESD89B/C).

6

Źródło: ISSCC 2015, J. Im; ISSCC 2017 R Yamashita; ISSCC 2017 C Kim; ISSCC 2018; H. Maejima; ISSCC 2019 C. Siau.

7

Pomiary zostały przeprowadzone na komponentach z dysków SSD, przy użyciu pływających bramek i technologii CTF. Jako platformę pomiarową wykorzystano systemy testowe Teradyne Magnum 2 Memory, natomiast programowanie z użyciem losowych szablonów i marginesów zliczono, korzystając z poleceń klienta. Dane zmierzone w sierpniu 2019 r.

8

Wydajność różni się w zależności od użytkowania, konfiguracji i innych czynników. Więcej informacji na www.Intel.pl/PerformanceIndex.

Wyniki są oparte na testach z dni wskazanych w konfiguracjach i mogą nie uwzględniać wszystkich publicznie dostępnych aktualizacji. Szczegóły dotyczące konfiguracji można znaleźć w kopii zapasowej. Żaden produkt ani komponent nie jest całkowicie bezpieczny.

Rzeczywiste koszty i wyniki mogą się różnić.

Firma Intel nie sprawdza ani nie weryfikuje danych podawanych przez strony trzecie. Aby ocenić ich dokładność, należy się zapoznać z innymi źródłami.

Technologie Intel® mogą wymagać obsługującego je sprzętu, oprogramowania lub aktywacji usług.