Witamy w rewolucji nośników pamięci masowej

Najważniejsze wnioski:

  • Opóźnienia zbliżone do nanosekundy, aby poprawiać czas reakcji aplikacji.

  • Spójny czas reakcji pięciu dziewiątek zapewniający przewidywalną wydajność.

  • Wyższa liczba IOPS przy niskich głębokościach kolejki dla lepszej gęstości wydajności.

  • Wysoka wytrzymałość wpływająca na dłuższy czas pracy, mniejszą potrzebę konserwacji i rzadsze przestoje.

BUILT IN - ARTICLE INTRO SECOND COMPONENT

Nowa generacja dysków SSD Intel® Optane™ z serii P5800X zapewnia wydajność potrzebną do obsługi obciążeń roboczych przetwarzających dużą ilość danych.

Starsze systemy pamięci masowej nie nadążają za nowymi technologiami obliczeniowymi i sieciowymi, które powstają w celu obsługi dzisiejszych obciążeń roboczych przetwarzających dużą ilość danych. Nośniki pamięci masowej stały się wąskim gardłem, które hamuje innowacje informatyczne i możliwości rozwojowe firm.

Starsze technologie pamięci masowej nie wypełniają tej luki

Dawniej pamięci DRAM i NAND odgrywały rolę bufora wydajności między pamięcią obliczeniową a pamięcią masową, ale obecnie przyczyniają się do powstawania coraz większej luki w nowoczesnym, rozbudowanym centrum danych. Pamięć DRAM jest zbyt kosztowna do skalowania, a jej gęstość nie nadąża za tempem wzrostu liczby rdzeni procesora. Natomiast pamięć NAND ma wystarczającą pojemność i skalowalne koszty, lecz wydajność, która pozwala jej działać jako wydajna warstwa pamięci masowej, będzie ciągle spadać wraz z każdą kolejną generacją.

Dyski SSD Intel® Optane™ z serii P5800X wypełniają tę krytyczną lukę w zakresie wydajności pamięci masowej, co sprawia, że są one idealne do szybkiego buforowania lub wspomagania gorących danych.

Przedstawiamy najszybszy na świecie dysk SSD do centrów danych

Nawet szybkie dyski SSD NAND nie są już odpowiednie dla aplikacji opartych na danych, które muszą uzyskiwać dostęp do danych i przetwarzać je w czasie rzeczywistym lub działać jako bufor dla szybkich połączeń sieci Ethernet (NIC). Dzięki czołowemu w branży połączeniu niskich opóźnień, wysokiej jakości usług (QoS), szybszej przepustowości i wysokiej wytrzymałości dysk SSD Intel® Optane™ z serii P5800X przyspiesza dostęp do dużych i złożonych zestawów danych, których przedsiębiorstwa i dostawcy usług w chmurze potrzebują do korzystania z wymagających obciążeń roboczych. Krytyczne znaczenie ma fakt, że w przeciwieństwie do innych technologii SSD dyski SSD Intel® Optane™ mogą jednocześnie dokonywać odczytu i zapisu, bez ograniczania wydajności.

Bezkonkurencyjnie niskie opóźnienia odczytu losowego

Dysk SSD Intel® Optane™ z serii P5800X o niskich opóźnieniach zapewnia czas reakcji zbliżony do nanosekundy przy dowolnym obciążeniu, zachowując spójny czas reakcji odczytu niezależnie od przepustowości zapisu. Średni czas reakcji odczytu pozostaje niższy niż 6 μs, jednocześnie utrzymując mieszaną przepustowość odczytu / zapisu w proporcji 70/30 na poziomie ponad 8 Gb/s.

Co to oznacza (w porównaniu z poprzednią generacją dysków SSD Intel® Optane™ DC z serii P4800X)

  • 40% niższe średnie opóźnienie odczytu losowego 4 KB
  • < 6 μs 4 KB — średnie opóźnienie odczytu losowego
  • Zdolność zbliżona do nanosekundy — 3μs średnie opóźnienie odczytu losowego w bloku sub-4K 512 B

Dlaczego to ważne

Opóźnienia zbliżone do nanosekundy oznaczają szybszy czas reakcji aplikacji. Dzięki działaniu dwukierunkowemu niskie opóźnienia dysku SSD Intel® Optane™ z serii P5800X pozostają spójne, aż do osiągnięcia nasycenia i zapewniają nawet większą poprawę dzięki możliwości odczytu mniejszych bloków danych 512 B. Dla branż takich jak usługi finansowe oznacza to możliwość szybszego pozyskiwania informacji na potrzeby wykrywania nadużyć, analizy, zgodności z przepisami, modelowania rynku i transakcji na rynkach papierów wartościowych.

Spójna, przewidywalna jakość usługi (QoS)

W środowisku szybko zwiększającej się ilości danych oraz wysokich wymagań klientów centra danych potrzebują przewidywalnej wydajności aplikacji.

Co to oznacza

  • Nawet o 50% lepszy wynik pięciu dziewiątek QoS z minimalną zmiennością odczytu i zapisu w porównaniu z dyskiem SSD Intel® Optane™ DC z serii P4800X
  • Nawet o 10 razy lepszy czas reakcji pięciu dziewiątek w porównaniu z dyskiem Intel® SSD D7 z serii P5600 (PCIe 4.0 NVMe NAND)
  • Nawet 6 razy większa przepustowość w porównaniu z dyskiem Intel® SSD D7 z serii P5600, najszybszym dyskiem SSD NAND firmy Intel

Dlaczego to ważne

Dysk SSD Intel® Optane™ z serii P5800X zapewnia przewidywalnie niskie opóźnienia i spójne czasy realizacji poleceń we/wy, co skutkuje jakością usługi, na której można polegać. Są one idealne do kluczowych zastosowań o wysokich wymaganiach dotyczących opóźnień lub dla klientów z rygorystycznymi umowami w zakresie poziomu usług (SLA).

Błyskawiczne działanie

Dysk SSD Intel® Optane™ z serii P5800X zgodny ze standardem PCIe 4.0 może osiągnąć nawet do 1,6 mln operacji wejścia-wyjścia na sekundę (IOPS) wydajności odczytu lub zapisu losowego przy małych głębokościach kolejki. Magistrala PCIe została zaprojektowana jako magistrala dwukierunkowa (do odczytu i zapisu), aby dysk SSD Intel® Optane™ z serii P5800X mógł osiągać większą wydajność, niż określono w danych technicznych (nawet do 2,0 mln IOPS) przy obciążeniach mieszanych 70/30. Seria P5800X ma również unikatową możliwość odczytu 512 B (blok poniżej 4K) zaprojektowaną specjalnie dla przypadków użycia z wykorzystaniem metadanych i może osiągnąć do 5 mln IOPS nawet w przypadku mieszanych obciążeń roboczych.

Co to oznacza

  • Nawet 5,6 razy większa IOPS przy niskich głębokościach kolejki
  • Nawet 23 razy niższe opóźnienia przy 530 tys. IOPS w porównaniu z rozwiązaniem NAND
  • Nawet 6 razy większa przepustowość bloków 4 KB dzięki możliwości dwukierunkowego odczytu / zapisu

Dlaczego to ważne

Chodzi o to, aby uzyskać więcej przy niższych nakładach. Koncepcja gęstości wydajności oznacza, że pomimo wyższych kosztów technologii Optane™ w porównaniu ze starszymi technologiami, można osiągnąć pożądany poziom wydajności pamięci masowej przy mniejszej ilości dysków P5800X, co w dłuższej perspektywie może przynieść oszczędności finansowe i zachować cenne gniazda. Biorąc pod uwagę ilość dysków SSD potrzebną do osiągnięcia nasycenia sieci 100 GbE na poziomie 90%, dzięki dyskowi SSD Intel® Optane™ z serii P5800X można osiągnąć nasycenie od 16 do 35 razy wydajniejsze. Ma to dodatkową korzyść w postaci uwolnienia gniazd PCIe, co umożliwia zmniejszenie zajmowanej powierzchni centrum danych lub zwiększenie pojemności w węźle.

Liczba dysków SSD do nasycenia sieci 100 GbE na poziomie 90%

  Dysk SSD Intel® Optane™ DC z serii P5800X (400 GB) Dysk Intel® SSD D7 z serii P5600 (3,200GB)
100% odczytu losowego 2 dyski SSD 800 GB 4 dyski SSD 12 800 GB
100% zapisu losowego 3 dyski SSD 1 200 GB 13 dysków SSD 41 600 GB
Mieszane obciążenia odczytu / zapisu w proporcji 70/30 3 dyski SSD 1 200 GB 7 dysków SSD 22 400 GB

Wysoka wytrzymałość przy niskich kosztach pamięci masowej i rzadszych przestojach

Większa wytrzymałość oznacza dłuższy czas pracy nośników pamięci masowej. Dzięki wykorzystaniu dysków SSD Intel® Optane™ do buforowania lub jako warstwy pamięci do obciążeń wymagających intensywnych operacji zapisu można wydłużyć czas pracy tańszych nośników pamięci masowej NAND, przy mniejszych wymaganiach dotyczących konserwacji i rzadszych przestojach.

Co to oznacza

  • 67% większa wytrzymałość w porównaniu z dyskiem SSD Intel® Optane™ DC z serii P4800X
  • Nawet 20 razy dłuższy czas pracy dysków pamięci masowej NAND

Dlaczego to ważne

Dyski SSD Intel® Optane™ zostały zaprojektowane z myślą o środowiskach mieszanych obciążeń roboczych i mogą sprostać takiemu intensywnemu wykorzystaniu, jakiego zwykle oczekuje się od pamięci. Ich niezwykle wysoka wytrzymałość sprawia, że są one idealne do zastosowań wymagających dużej ilości operacji zapisu, takich jak wnioskowanie AI, systemy obliczeniowe dużej skali (HPC), buforowanie zapisu i logowanie.

Najszybszy na świecie dysk SSD do centrów danych zapewnia niesamowitą wszechstronność

Niezależnie od tego, czy stosujesz dyski SSD Intel® Optane™ z serii P5800X do przyspieszania bazy danych, zapisu w pamięci podręcznej czy wysokowydajnych warstw danych, zwiększają one skalę na serwer i przyspieszają obciążenia wrażliwe na opóźnienia, aby umożliwiać skalowanie centrów danych bez obaw przy jednoczesnym wdrażaniu większych i bardziej przystępnych cenowo zestawów danych.

  • Przyspieszenie (przechowywanie danych o danych). Szybsze buforowanie (tymczasowe kopiowanie lub przechowywanie najgorętszych danych).
  • Bufor zapisu skraca czas do uzyskania trwałości. Pamięć podręczna odczytu przyspiesza wydajność aplikacji oraz dostęp do metadanych i indeksów, aby poprawić wydajność odczytu danych.
  • Warstwy danych (inteligentne rozmieszczenie danych). Inteligentne rozmieszczenie danych umożliwia wdrażanie wielu poziomów w celu optymalizacji kosztów.

Dysk SSD Intel® Optane™ DC z serii P5800X — dane techniczne

Cecha Specyfikacja
Pojemność 400 / 800 / 1600 GB
Interfejs PCIe x4
DWPD 100

Przepustowość

  • Odczyt sekwencyjny
  • Zapis sekwencyjny
  • Losowy odczyt 4K (IOPS)
  • Losowy zapis 4K (IOPS)
  • Losowy 4K 70/30 (IOPS)
  • Losowy odczyt 512 B (IOPS do metadanych)

Przepustowość

  • Nawet do 7,4 Gb/s
  • Nawet do 7,4 Gb/s
  • Nawet do 1,55 mln
  • Nawet do 1,6 mln
  • Nawet do 2,0 mln
  • Nawet do 5,0 mln

QoS

  • 4KRR, QD=1, 99%
  • 4KRR, RW, mieszane QD=1, 99.999%

QoS

  • < 6μs
  • < 66μs