Moduł pamięci trwałej Intel® Optane™ DC 512 GB
- 512 GB Pojemność
- Persistent Memory Module (PMM) Standard konstrukcji
- DDR-T Interfejs
Nowa pamięć trwała Intel® Optane™ DC na nowo definiuje centra przetwarzania danych oparte na tradycyjnej architekturze, zapewniając dużą i trwałą warstwę pamięci w przystępnej cenie. Dzięki przełomowej wydajności w zadaniach wymagających intensywnego korzystania z pamięci, gęstości maszyn wirtualnych i dużej pojemności pamięci masowej pamięć trwała Intel® Optane™ DC – w połączeniu ze skalowalnymi procesorami Intel® Xeon® drugiej generacji – przyspiesza transformację infrastruktury informatycznej w celu sprostania wymaganiom ery danych dzięki szybszej niż kiedykolwiek wcześniej analizie, usługom w chmurze i usługom komunikacyjnym nowej generacji.
Produkty
3 Wyniki
Zastosowane filtry
Moduł pamięci trwałej Intel® Optane™ DC 128 GB
- 128 GB Pojemność
- Persistent Memory Module (PMM) Standard konstrukcji
- DDR-T Interfejs
Moduł pamięci trwałej Intel® Optane™ DC 256 GB
- 256 GB Pojemność
- Persistent Memory Module (PMM) Standard konstrukcji
- DDR-T Interfejs
Cechy i wydajność
Duża i ekonomiczna pojemność
Pamięć trwała Intel® Optane™ DC stanowi przystępną cenowo alternatywę dla kosztownej pamięci DRAM, zapewnia ogromną pojemność i może sprostać wymagającym obciążeniom i obsługiwać nowe narzędzia, takie jak bazy danych w pamięci (IMDB). Po wdrożeniu pamięć trwała Intel® Optane™ DC może pomóc w obniżeniu całkowitego kosztu posiadania, nie tylko dzięki oszczędności pamięci, ale również w szerszym zakresie dzięki obniżeniu kosztów licencji na oprogramowanie, ograniczeniu liczby węzłów, zmniejszeniu zużycia energii i innym usprawnieniom operacyjnym.
Maksymalizacja inwestycji
Pamięć trwała Intel® Optane™ DC napędza znaczącą konsolidację infrastruktury. Zwiększenie ilości pamięci na nośnikach Intel® Optane umożliwia konsolidację obciążeń roboczych w celu ich skoncentrowania na mniejszej liczbie węzłów, co w rezultacie pozwala zmniejszyć koszty wdrożeń i zmaksymalizować wykorzystanie wcześniej nieużywanych procesorów ze względu na ograniczenia pamięci.
Nowatorskie rozwiązania
Pamięć trwała Intel® Optane™ DC to całkowicie nowa warstwa pamięci o nowych właściwościach wydajności i trwałości. Architekci i programiści używają jej jako podstawy do innowacji wykorzystujących nowe możliwości ponownego uruchamiania i replikacji — rozwiązanie to oferuje przełomową wydajność, pozwalającą na usuwanie „wąskich gardeł” w systemie, które ograniczają obciążenia robocze, a także umożliwia wykorzystanie tego, co można uznać za najmniejszą, ale i najszybszą pamięć masową na świecie, umieszczoną na magistrali pamięci.
Docelowe obciążenia robocze
Baza danych w pamięci i obsługa danych
Dzisiejsze bazy danych w pamięci są ograniczone do tradycyjnych architektur obliczeniowych, w których pamięć jest niewielka, kosztowna i ulotna. Nowa pamięć trwała Intel® Optane™ DC to nowa warstwa pamięci, która jest duża, trwała i niedroga, co znacząco zwiększa pojemność i wydajność szybkiego przetwarzania danych. Dane są przechowywane w pamięci przez cykle zasilania, więc czasy ponownego uruchamiania są krótsze, co skutkuje szybkim odzyskiwaniem usługi i wydłużonym czasem pracy bez przestojów – wcześniej działania te zajmowały kilka minut, a teraz trwają zaledwie sekundy.
Wirtualizacja
Gęstość maszyn wirtualnych i wydajność wirtualizacji w przeszłości były ograniczone przez małą, kosztowną i ulotną pamięć systemową. Nowa pamięć trwała Intel® Optane™ DC zapewnia usługi wirtualizacji o większej pojemności, stanowiąc dużą, przystępną cenowo i trwałą warstwę pamięci, która zwiększa gęstość maszyn wirtualnych przy niższych kosztach.
Szybsza pamięć masowa
Ultraszybkie rozwiązania w zakresie pamięci masowej były ograniczone przez niewielkie i drogie pamięci systemowe przekazujące dane do nośników o różnej szybkości, tworząc połączenie wydajności, pojemności i kosztów. Pamięć trwała Intel® Optane™ DC i dyski SSD Intel® Optane™ DC stanowią nowy model ultraszybkiego przechowywania i przetwarzania danych, wprowadzając całkowicie nowe rozwiązania w zakresie pamięci masowej o wydajności zarezerwowanej dotąd dla zaawansowanych, kosztownych rozwiązań.
