Niezbędne zasoby

Pojemność
1 TB
Stan
Launched
Data rozpoczęcia
Q2'19
Warunki użytkowania
PC/Client/Tablet

Specyfikacja wydajności

Odczyt sekwencyjny (maks.)
2400 MB/s
Zapis sekwencyjny (maks.)
1800 MB/s
Zasilanie - Aktywność
5.8W
Zasilanie - Bezczynność
L1.2 : <13mW

Niezawodność

Drgania - Podczas pracy
2.17 GRMS (5-700 Hz) Max
Drgania - Podczas bezczynności
3.13 GRMS (5-800 Hz) Max
Wstrząsy (Podczas pracy i bezczynności)
1000 G / 0.5 ms and 1500 G / 0.5 ms
Zakres temperatur roboczych
0°C to 70°C
Temperatura pracy (maksymalna)
70 °C
Temperatura pracy (minimalna)
0 °C
Klasyfikacja wytrzymałości (zapisy w okresie istnienia)
300 TBW
Średni czas międzyawaryjny (MTBF)
1.6 Million Hours
Bitowa stopa błędu bez korekcji (UBER)
< 1 sector per 10^15 bits read
Okres gwarancji
5 yrs

Informacje dodatkowe

Dane katalogowe
Opis produktu
Adres URL dodatkowych informacji
Opis
Introducing the new Intel® Optane™ Memory H10 with Solid State Storage which combines two breakthrough technologies, Low-latency Intel® Optane™ technology and high-density Intel® QLC 3D NAND in a single M.2 2280 form factor.

Dane techniczne pakietu

Ciężar
Less than 10 grams
Model
M.2 22 x 80mm
Interfejs
PCIe 3.0 x4, NVMe

Technologie zaawansowane

Zaawansowana ochrona danych przed nagłą utratą zasilania
Tak
Monitorowanie i rejestrowanie temperatury
Tak
Rozwiązanie kompleksowej ochrony danych (End-to-End Data Protection)
Tak
Intel® Rapid Start Technology
Tak