Technologia Intel® 14 nm

Technologia Intel® 14 nm

  • Służy do produkcji tak wysoko wydajnych, jak i energooszczędnych produktów

  • Sprawdzony proces w masowej produkcji

BUILT IN - ARTICLE INTRO SECOND COMPONENT

Dzięki zastosowaniu tranzystorów Tri-Gate 3D drugiej generacji technologia 14 nm zapewnia niewiarygodną wydajność i gęstość oraz najniższy koszt w przeliczeniu na tranzystor. Technologia ta jest wykorzystywana do produkcji wielu urządzeń, w tym wysoko wydajnych i energooszczędnych.

Ultraszybkie i energooszczędne urządzenia z układami firmy Intel

Tranzystory 14 nm obsługujące szeroką gamę produktów, w tym urządzenia mobilne i serwery, zwiększają wydajność i ograniczają niekontrolowany upływ energii. Technologia Intel® 14 nm jest wykorzystywana do produkcji szerokiej gamy urządzeń zarówno wysoko wydajnych, jak i energooszczędnych, takich jak serwery, urządzenia osobiste i rozwiązania z dziedziny Internetu przedmiotów.

Zobacz, jak Mark Bohr z firmy Intel omawia nowy proces technologiczny tranzystora 14 nm i opisuje, jak szczeliny między trzema bramkami są teraz wyższe, cieńsze i rozmieszczone bliżej siebie, co przedkłada się na niesamowitą wydajność, mniejsze zużycie energii i długi czas pracy baterii.

Technologia Intel® 14 nm umożliwia wydajne skalowanie wymiarowe od 22 nm. Żebra tranzystora są dłuższe, cieńsze i umieszczone ciaśniej, co poprawia zagęszczenie i zwiększa pojemność elektryczną. Udoskonalone tranzystory wymagają mniejszej liczby żeber, co jeszcze bardziej poprawia zagęszczenie, a rozmiar komórki SRAM jest o połowę mniejszy niż w technologii 22 nm.

Proces technologiczny 14 nm firmy Intel oraz główny układ SoC (ang. System on a Chip) zostały zatwierdzone i są produkowane masowo w fabrykach w Oregonie (2014) i Arizonie (2014) oraz Irlandii (2015).