Technologia Intel® 22 nm

BUILT IN - ARTICLE INTRO SECOND COMPONENT

Pierwszy na świecie tranzystor 3D gotowy do masowej produkcji.

3D, 22 nm: połączenie wydajności i energooszczędności

W 2011 roku firma Intel jako pierwsza w branży wprowadziła całkowicie nową technologię produkcji mikroprocesorów: tranzystory 3D wytwarzane w technologii 22 nm.

Tranzystor, serce mikroprocesora, był wcześniej urządzeniem 2D (płaskim). Tranzystory Tri-Gate Intel® 3D i możliwość ich masowej produkcji oznaczają diametralną zmianę podstawowej struktury układu komputerowego. Przeniesienie kanałów tranzystorów w trzeci wymiar poprawiło kontrolę nad tranzystorem, maksymalizując przepływ prądu (najlepsza wydajność), gdy jest włączony, i zmniejszając go (mniejsza upływność) po wyłączeniu.

Tranzystory te pozwoliły firmie Intel nadal tworzyć produkty najwyższej klasy, od szybkich superkomputerów po bardzo małe urządzenia podręczne.

Tranzystory to podstawa

Technologicznym filarem dla korzystania z dobrodziejstw prawa Moore’a jest rozmiar i struktura tranzystorów. Zazwyczaj im mniejszy i bardziej energooszczędny tranzystor, tym lepiej. Zgodnie z przewidywaniami firma Intel kontynuuje zmniejszanie wytwarzanych technologii, produkując pierwsze na świecie serie: 45 nm z technologią high-k/metal gate z 2007 r.; 32 nm z 2009 r.; i obecnie 22 nm z pierwszym na świecie tranzystorem 3D z procesem masowej produkcji rozpoczętym w 2011 r. oraz 14 nm z tranzystorami Tri-Gate 3D drugiej generacji w 2014 r.

Ciągłe postępy w technologii tranzystorów pozwalają firmie Intel tworzyć coraz wydajniejsze, niesamowicie energooszczędne procesory. Nowe procesory pozwalają na innowacyjne mikroarchitektury, projekty układów System on Chip (SoC) oraz nowe produkty – od serwerów, przez komputery osobiste i smartfony, po innowacyjne produkty konsumenckie.

Dowiedz się, jak firma Intel przekształca krzem w układy 22 nm

Tranzystory w trójwymiarze

Tranzystor Tri-Gate Intel 3D korzysta z trzech bramek zbudowanych wokół trójwymiarowego kanału krzemowego, co umożliwia osiągnięcie niedostępnej wcześniej kombinacji wysokiej wydajności i niskiego zużycia energii. Firma Intel zaprojektowała tranzystor Tri-Gate 3D, aby zapewnić podręcznym urządzeniom, takim jak smartfony czy tablety, niezwykle niskie zużycie energii przy jednoczesnym wzroście wydajności, którego oczekuje się od procesorów wyższej klasy.

Dowiedz się więcej na temat technologii tranzystorów 22 nm firmy Intel ›

Procesor Intel® Core™ trzeciej generacji

Wprowadzona pod koniec 2011 roku trzecia generacja procesorów Intel® Core™ jako pierwszy produkowany masowo chip wykorzystywała tranzystory 3D.