Pamięć systemowa dla płyty głównej Intel® DB65AL

Dokumentacja

Kompatybilność

000007724

10-06-2020

 

Funkcje pamięci systemowej
Płyta główna ma cztery gniazda DIMM i obsługuje następujące funkcje pamięci:

  • Dwa niezależne kanały pamięci z obsługą trybu z przeplotem
  • Obsługa funkcji pamięci niebuforowanej ECC, jednostronnej lub dwustronnej DIMM z organizacją z procesorem x8
  • 32 GB w sumie maksymalnej pamięci systemowej (z technologią pamięci 4 GB)
  • Minimalna całkowita pamięć systemowa: 1 GB przy użyciu modułu 1 GB x8
  • Wykrywanie obecności szeregowych
  • Moduł pamięci DIMM SDRAM DDR3 1333 MHz i DDR3 1066 MHz

Aby zapewnić pełną zgodność ze wszystkimi specyfikacjami pamięci DDR SDRAM, należy wypełnić tę płytę modułami DIMM, które obsługują strukturę danych wykrywania (Serial Data Detect, SPD). Dzięki temu system BIOS może odczytywać dane SPD i programować ten Chipset, aby dokładnie skonfigurować ustawienia pamięci na potrzeby optymalnej wydajności. Jeśli zainstalowano pamięć nieulotną, system BIOS podejmie próbę prawidłowego skonfigurowania ustawień pamięci, ale może mieć negatywny wpływ na wydajność i niezawodność lub moduły DIMM mogą nie działać zgodnie z ustaloną częstotliwością.

1,5 v to zalecane i domyślne ustawienie napięcia pamięci DDR3. Pozostałe ustawienia napięcia pamięci w programie instalacyjnym BIOS są dostępne tylko w celu dostrajania wydajności. Zmiana napięcia pamięci może (i) zmniejszyć stabilność i żywotność systemu, pamięci i procesora; (II) spowodować uszkodzenie procesora i innych składników systemu; (III) spowodować zmniejszenie wydajności systemu; (IV) spowodować dodatkową emisję ciepła lub inne uszkodzenia; oraz (v) wywierać wpływ na integralność danych systemu.

Firma Intel nie przetestowała i nie gwarantuje działania procesora poza jego specyfikacją. Informacje na temat gwarancji na procesory można znaleźć w informacjach gwarancyjnych dotyczących procesora.

Obsługiwane konfiguracje pamięci

 

Pojemność pamięci DIMMKonfiguracjiGęstość pamięci SDRAMOrganizacja SDRAM – strony z przodu/z tyłuLiczba urządzeń z pamięcią SDRAM
512 MBJednostronne1 GB64 M x 16/pusty4
1 GBJednostronne1 GB128 M 8/pusty8
1 GBJednostronne2 GB128 M x 16/pusty4
2 GBDwustronne1 GB128 m 8/128 x 816
2 GBJednostronne2 GB128 M x 16/pusty8
4 GBDwustronne2 GB256 m 8/256 x 816
8 GBDwustronne4 GB512 m 8/512 x 816

Pamięć sprawdzona innych firm

W tabeli poniżej wymieniono części, które przeszły test w trakcie programowania. Te numery katalogowe mogą nie być łatwo dostępne w całym cyklu życia produktu.

 

Producent modułuNumer katalogowy modułuRozmiar modułuPrędkość modułuECC lub nie-ECCProducent komponentówNumer katalogowy składnika
HynixHMT112U6BFR8C-G71 GB1066 MHzBez ECCHynixHMT112U6BFR8C-G7
HynixHMT112U6AFP8C-H91 GB1333 MHzBez ECCHynixHMT112U6AFP8C-H9
HynixHMT125U7AFP8C-G7T02 GB1066 MHzBez ECCHynixHMT125U6AFP8C-G7T0
HynixHMT125U6BFR8C-H92 GB1333 MHzBez ECCHynixHMT125U6BFR8C-H9
HynixHMT351U6AFR8C-G74 GB1066 MHzBez ECCHynixHMT351U6AFR8C-G7
HynixHMT351U6AFR8C-H94 GB1333 MHzBez ECCHynixHMT351U6AFR8C-H9
MikronówMT8JTF12864AY-1G1D11 GB1066 MHzBez ECCMikronówMT8JTF12864AY-1G1D1
MikronówMT8JTF12864AY-1G4D11 GB1333 MHzBez ECCMikronówMT8JTF12864AY-1G4D1
MikronówMT16JTF25664AY-1G1D12 GB1066 MHzBez ECCMikronówMT16JTF25664AY-1G1D1
MikronówMT16JTF25664AZ-1G4F12 GB1333 MHzBez ECCMikronówMT16JTF25664AZ-1G4F1
MikronówMT16JTF51264AZ-1G1D14 GB1066 MHzBez ECCMikronówMT16JTF51264AZ-1G1D1
MikronówMT16JTF51264AZ-1G4D4 GB1333 MHzBez ECCMikronówMT16JTF51264AZ-1G4D
SamsungM378B2873DZ1-CF81 GB1066 MHzBez ECCSamsungM378B2873DZ1-CF8
SamsungM378B2873EH1-CH91 GB1333 MHzBez ECCSamsungM378B2873EH1-CH9
SamsungM378B5673DZ1-CF82 GB1066 MHzBez ECCSamsungM378B5673DZ1-CF8
SamsungM378B5673DZ1-CH92 GB1333 MHzBez ECCSamsungM378B5673DZ1-CH9
SamsungM378B5273BH1-CF84 GB1066 MHzBez ECCSamsungM378B5273BH1-CF8
SamsungM378B5273BH1-CF94 GB1333 MHzBez ECCSamsungM378B5273BH1-CF9