Pojedyncze wydarzenie – rozstrój
Pojedyncze zaburzenia denerwowania (SEU) są spowodowane promieniowaniem jonizującym w elementach pamięci masowej, takich jak komórki pamięci konfiguracyjnyej, pamięć użytkownika i rejestry. W zastosowaniach teritericznych głównymi źródłami promieniowania jonizującego są cząstki alfa emitowane z zanieczyszczeń w materiałach, neutronach wysokoenergetycznych wytwarzanych przez interakcję promieni infekcyjnych z atmosferze ziemi i neutronami termicznymi, które w większości przypadków są termalizowane neutronami wysokiej energii, ale mogą być również wytwarzane w sprzęcie wykonanym przez człowieka. Badania przeprowadzone w ciągu ostatnich 20 lat prowadzą do wysokiego poboru materiałów minimalizujących efekty SEU, powodowane przez promieniowanie cząsteczek alfa. Niezapomniane neutrony nieprzenośne pozostają obecnie główną przyczyną skutków SEU. Błędy programowe są losowe i mają miejsce w zależności od błędu związanego z poziomem energii, strumieniem i wrażliwością komórek.
Firma Intel od wielu generacji zajmuje się analizą wpływu produktów (SEU) na swoje urządzenia i ma bogate doświadczenie zarówno w zmniejszaniu wskaźników błędów programowych dzięki zoptymalizowanym pod kątem SEU układowi fizycznemu i technologii przetwarzania, jak i technikom łagodzenia skutków błędów programowych. Firma Intel wprowadziła pierwszą w branży automatyczną cykliczną kontrolę redundancji (CRC) i usunęły dodatkowe wymagania w zakresie logiki i złożoności, typowe dla innych rozwiązań z zakresu sprawdzania błędów. Rodziny urządzeń firmy Intel® są testowane pod kątem zachowania i wydajności SEU przy użyciu urządzeń takich jak Los Alamos Weapons Neutron Research (WNR) przy użyciu standardowych procedur testowych określonych przez specyfikację JESD-89 JEDEC.
Testy SEU FPGAs Intel® w Los Alamos Neutron Science Center (LANSCE) wykazały następujące wyniki:
- Nie obserwowano błędów SEU w twardych obwodach CRC i rejestrach we/wy.
- Setki lat temu, nawet w przypadku bardzo dużej FPGAs o dużej gęstości, istnieje średni czas między przerwaniami funkcjonalnymi (MTBFI).
Serie Intel® Stratix®, Arria® z serii GX oraz Cyclone® serii FPGA są wyposażone we wbudowane dedykowane obwody twarde, które stale i automatycznie sprawdzają systemy CRC bez dodatkowych kosztów. W przypadku produktów wyprodukowanych w oparciu o technologię procesu 28 nm, a także kolejne węzły procesowe, firma Intel wdrożyła korekcję dezynfekcji dezynfekcji bitów CRAM (zgłębienie z technologią 28 nm) oraz udoskonalone wykrywanie EDCRC. Możesz z łatwością skonfigurować kontroler CRC za pomocą oprogramowania projektowego Intel® Quartus® Prime.
W celu uzyskania dalszych informacji dotyczących innych technik łagodzenia skutków oraz dalszych informacji na temat testowania Intel FPGA urządzeń SEU skontaktuj się z lokalnym przedstawicielem handlowym lub dystrybutorem firmy Intel.
Dokumentacji
Obsługiwane urządzenia
- Instrukcja obsługi łagodzenia skutków skutków SEU Intel® Agilex™ ›
- Instrukcja obsługi łagodzenia skutków skutków dla Intel® Stratix® 10 SEU ›
- Podręcznik do obsługi infrastruktury Intel® Arria® 10 Rdzeni i układów operacyjnych ogólnego przeznaczenia ›
- Wytyczne dotyczące projektowania urządzeń Intel® Cyclone® 10 GX ›
- Podręcznik urządzenia Stratix V: wolumin 1: interfejsy urządzeń i integracja ›
- Podręcznik urządzenia Arria V: wolumin 1: interfejsy urządzeń i integracja ›
- Podręcznik urządzenia Cyclone V: wolumin 1: interfejsy urządzeń i integracja ›
- Instrukcja obsługi Intel® FPGA IP zaawansowanego wykrywania SEU ›
- AN 866: łagodzenie skutków i debugowanie pojedynczych zdarzeń w Intel® Quartus® Prime Standard Edition ›
- AN 737: wykrywanie i odzyskiwanie SEU w urządzeniach z Intel® Arria® 10 ›
Starsze urządzenia
Materiały zawarte na tej stronie są tłumaczeniem z języka angielskiego, wykonanym częściowo przez człowieka, a częściowo automatycznie. Materiały te są udostępnione dla Twojej wygody i należy je traktować jedynie jako ogólne źródło informacji. Nie ma jednak gwarancji, że są one kompletne bądź poprawne. Jeśli istnieje jakakolwiek rozbieżność między wersją angielską tej strony a jej tłumaczeniem, wersja angielska jest wersją obowiązującą i ma rozstrzygające znaczenie. Wyświetl anglojęzyczną wersję tej strony.